[发明专利]半导体器件封装方法、互连装置及柔性电路板在审
申请号: | 201910200210.8 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109817574A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 滕乙超;魏瑀;刘东亮 | 申请(专利权)人: | 浙江荷清柔性电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 舒丁 |
地址: | 310018 浙江省杭州市经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 半导体器件封装 斜坡结构 电路板 连接线 打印 半导体器件 互连装置 封装可靠性 柔性电路板 半导体器 导电性能 柔性电路 侧表面 传统的 焊接点 键合点 结合力 形变 断裂 申请 | ||
本申请涉及一种半导体器件封装方法、互连装置及柔性电路板,在将半导体器件封装于电路板的基板时,首先将半导体器设置于电路板的基板上对应的位置,然后在基板上设置有微斜坡结构,微斜坡结构同时与半导体器件的侧表面接触,最后采用打印连接线的方式将半导体器件的键合点与基板上对应的焊接点连接起来,并且打印的连接线有一部分位于斜坡结构上。通过上述方法,当电路板的基板发生弯曲时,所打印的连接线能够随着基板的弯曲而发生一定的形变,不会发生脱键、断裂等问题,并且,由于斜坡结构的存在,还能够避免发生由于重力、结合力等使得线路的导电性能不佳的问题,与传统的半导体器件封装方法相比具有封装可靠性强的优点。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种半导体器件封装方法、互连装置及柔性电路板。
背景技术
随着科学技术的飞速发展以及柔性电子技术的日益成熟,柔性电子被广泛应用到电子通信、医疗以及军事等技术领域。近年来,随着柔性电子的发展,从柔性材料到柔性电子的封装技术又有了相对成熟的解决方案。
在柔性电子技术中,传统的半导体器件封装方法主要采用BBOS(Bonding Ball OnStitch,在两焊点上种球)的引线键合工艺,直接将半导体器件焊接到柔性基板上,然后实现进一步的封装处理。然而,由于柔性基板在在使用过程中往往会有一定的弯曲,当柔性基板弯曲的角度达到一定程度时很容易引起键合点的脱键、断裂等问题。因此,传统的半导体器件封装方法具有封装可靠性差的缺点。
发明内容
基于此,有必要针对传统的半导体器件封装方法的封装可靠性差的问题,提供一种半导体器件封装方法、互连装置及柔性电路板。
一种半导体器件封装方法,所述方法包括:将半导体器件设置于电路板的基板;在所述基板生成斜坡结构,所述斜坡结构位于所述基板并与所述半导体器件的侧表面接触设置,以使所述半导体器件与所述基板的高度差平缓过渡;在所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点之间打印连接线,所述连接线从所述键合点经过所述斜坡结构延伸至所述焊接点。
在一个实施例中,所述斜坡结构为台阶结构,在所述基板生成斜坡结构的步骤,包括:采用非导电介质在所述基板对应的位置依次打印台阶;当所述台阶结构的厚度与所述半导体器件的侧表面的高度一致时,完成所述台阶结构的打印。
在一个实施例中,任意相邻的两级台阶中,靠近所述基板的为上一级台阶,远离所述基板的为下一级台阶,所述采用非导电介质在所述基板对应的位置依次打印台阶的步骤,包括:采用非导电介质在所述基板对应的位置打印上一级台阶;对所述上一级台阶进行固化处理之后,采用非导电介质在所述上一级台阶上打印下一级台阶。
在一个实施例中,所述在所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点之间打印连接线的步骤之后,还包括:对打印的所述连接线进行固化处理。
在一个实施例中,各所述台阶的厚度为1微米至10微米。
在一个实施例中,打印连接线与打印台阶结构的方式均为喷墨打印。
在一个实施例中,所述非导电介质为硅胶溶液。
在一个实施例中,打印连接线的材料为掺杂有金属颗粒的环氧材料。
在一个实施例中,所述金属颗粒的直径为0.1微米至10微米。
一种柔性电路板,包括半导体器件和基板,所述半导体器件通过上述的方法封装于所述基板。
一种半导体器件互连装置,包括:斜坡结构和连接线,所述斜坡结构位于电路板的基板并与半导体器件的侧表面接触设置,以使所述半导体器件设置于所述基板时,所述半导体器件与所述基板的高度差平缓过渡;所述连接线用于将所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点连接,所述连接线通过打印的方式从所述键合点经过所述斜坡结构延伸至所述焊接点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造