[发明专利]半导体器件封装方法、互连装置及柔性电路板

权利要求书

1.一种半导体器件封装方法，其特征在于，所述方法包括：

将半导体器件设置于电路板的基板；

在所述基板生成斜坡结构，所述斜坡结构位于所述基板并与所述半导体器件的侧表面接触设置，以使所述半导体器件与所述基板的高度差平缓过渡；

在所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点之间打印连接线，所述连接线从所述键合点经过所述斜坡结构延伸至所述焊接点。

2.根据权利要求1所述半导体器件封装方法，其特征在于，所述斜坡结构为台阶结构，在所述基板生成斜坡结构的步骤，包括：

采用非导电介质在所述基板对应的位置依次打印台阶；

当所述台阶结构的厚度与所述半导体器件的侧表面的高度一致时，完成所述台阶结构的打印。

3.根据权利要求2所述半导体器件封装方法，其特征在于，任意相邻的两级台阶中，靠近所述基板的为上一级台阶，远离所述基板的为下一级台阶，所述采用非导电介质在所述基板对应的位置依次打印台阶的步骤，包括：

采用非导电介质在所述基板对应的位置打印上一级台阶；

对所述上一级台阶进行固化处理之后，采用非导电介质在所述上一级台阶上打印下一级台阶。

4.根据权利要求3所述半导体器件封装方法，其特征在于，所述在所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点之间打印连接线的步骤之后，还包括：

对打印的所述连接线进行固化处理。

5.根据权利要求2所述半导体器件封装方法，其特征在于，各所述台阶的厚度为1微米至10微米。

6.根据权利要求2所述半导体器件封装方法，其特征在于，打印连接线与打印台阶结构的方式均为喷墨打印。

7.根据权利要求2所述半导体器件封装方法，其特征在于，所述非导电介质为硅胶溶液。

8.根据权利要求1所述半导体器件封装方法，其特征在于，打印连接线的材料为掺杂有金属颗粒的环氧材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述金属颗粒的直径为0.1微米至10微米。

10.一种柔性电路板，其特征在于，包括半导体器件和基板，所述半导体器件通过权利要求1-9任一项所述的方法封装于所述基板。

11.一种半导体器件互连装置，其特征在于，包括：斜坡结构和连接线，所述斜坡结构位于电路板的基板并与半导体器件的侧表面接触设置，以使所述半导体器件设置于所述基板时，所述半导体器件与所述基板的高度差平缓过渡；所述连接线用于将所述半导体器件的键合点与所述基板上对应的焊接点连接，所述连接线通过打印的方式从所述键合点经过所述斜坡结构延伸至所述焊接点。

12.根据权利要求11所述的半导体器件互连装置，其特征在于，所述斜坡结构为台阶结构。

13.根据权利要求11所述的半导体器件互连装置，其特征在于，所述台阶结构包括多级台阶，各所述台阶的厚度为1微米至10微米。