[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

多个堆叠结构，配置于基底上，其中每一个堆叠结构至少包括：

穿隧介电层，配置于所述基底上；

浮置栅极，配置于所述穿隧介电层上；

栅间介电层，配置于所述浮置栅极上；以及

控制栅极，配置于所述栅间介电层上，其中所述控制栅极包括下部与位于所述下部上的上部，且所述控制栅极的所述下部的宽度大于所述控制栅极的所述上部的宽度，其中所述上部覆盖所述下部的顶面的第一部分且暴露出所述下部的所述顶面的第二部分；

间隙壁，配置于所述控制栅极的所述下部的所述第二部分上且覆盖所述控制栅极的所述上部的侧壁，以使所述堆叠结构的上部的宽度小于其下部的宽度，其中所述间隙壁包括彼此相对的内侧壁与外侧壁，所述内侧壁直接接触所述控制栅极的所述上部的所述侧壁，且所述外侧壁与所述控制栅极的所述下部的侧壁齐平；

介电层，共形地覆盖所述堆叠结构与所述间隙壁；

多个接触插塞，分别配置在所述堆叠结构之间的所述基底上；以及

氧化物层，覆盖且直接接触所述间隙壁的所述外侧壁与所述控制栅极的所述下部的所述侧壁，而未覆盖所述多个堆叠结构的顶面，其中所述氧化物层在所述控制栅极的所述下部的所述顶面与所述间隙壁的底面接触的延伸平面处具有厚度变化，其中位于所述延伸平面的上方的所述氧化物层的厚度小于位于所述延伸平面的下方的所述氧化物层的厚度。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中位于所述堆叠结构的所述上部的侧壁上的所述介电层的厚度大于位于所述堆叠结构的所述下部的侧壁上的所述介电层的厚度。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述间隙壁的侧壁与所述堆叠结构的所述下部的侧壁实质上共平面。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述接触插塞为自对准结构，其具有一致的宽度。

5.一种存储元件的制造方法，包括：

在基底上形成堆叠层；

图案化所述堆叠层，以于所述堆叠层中形成多个开口；

在所述开口的侧壁上形成间隙壁；

以所述间隙壁为掩膜，进行第一蚀刻工艺，以形成多个堆叠结构，其中所述间隙壁内嵌于所述堆叠结构中，以使所述堆叠结构的上部的宽度小于其下部的宽度；

在所述堆叠结构与所述间隙壁上形成介电层；以及

在所述堆叠结构之间的所述基底上分别形成多个接触插塞，其中形成所述接触插塞的步骤包括：

在所述基底上形成第一导体材料，以填入所述堆叠结构之间的空间；

将所述第一导体材料图案化为多个导体层；以及

进行替代工艺，以将所述导体层替换为所述接触插塞。

6.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其中在形成所述介电层之前，还包括：

进行原位蒸气产生工艺，以于所述堆叠结构的侧壁上形成氧化物层，其中位于所述堆叠结构的所述上部的侧壁上的所述氧化物层的厚度小于位于所述堆叠结构的所述下部的侧壁上的所述氧化物层的厚度。

7.根据权利要求5所述的存储元件的制造方法，其中所述替代工艺包括：

进行第二蚀刻工艺，移除所述导体层，以于所述堆叠结构之间分别形成多个接触窗开口，其中所述接触窗开口暴露出所述基底；以及

在所述接触窗开口中填入第二导体材料，以形成所述多个接触插塞。

8.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，其中所述第一导体材料与所述第二导体材料不同。