[发明专利]顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用

说明书

本发明涉及一种顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用，该顶发射垂直发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅电极、增反绝缘层、源电极、有机功能层和漏电极；增反绝缘层包括多层反射膜，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同。上述顶反射垂直发光晶体管无需使用高反射电极即可增强顶发射垂直发光晶体管的出光效率。

技术领域

本发明涉及发光电子器件技术领域，特别涉及顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用。

背景技术

为了获得高度集成化的器件结构，已有研究将薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件整合为单个光电子器件，构成有机发光晶体管(OLETs)，其利用了场效应晶体管(FETs)的栅场调控载流子的注入程度来提高发光器件的发光效率和发光强度。而顶发射垂直发光晶体管的光是从器件顶部方向射出，且不受基板是否透光的影响，能够提高显示面板的开口率，并能够窄化光谱和提高色纯度，越来越受到青睐。目前，为了增强顶发射垂直发光晶体管的出光效率，所采用的传统方法为设计高反射率的金属作为栅电极，即采用具有较高反射率的金属如Al、Ag等材料作为栅电极，但该类金属的功函数低，受限于与发光层的最高分子占有轨道能级匹配的问题，严重影响了显示装置的发光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种在不影响发光效率的基础上提高出光效率的顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用。

一种顶发射垂直发光晶体管，包括依次层叠设置的基板、栅电极、增反绝缘层、源电极、有机功能层和漏电极；所述增反绝缘层包括多层反射膜，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同。

在其中一实施例中，所述多层反射膜包括交替设置的第一反射膜和第二反射膜，所述第一反射膜的折射率小于所述第二反射膜的折射率。

在其中一实施例中，当与所述栅电极接触的反射膜的折射率小于1.8时，与所述栅电极接触的反射膜为第一反射膜；

当与所述栅电极接触的反射膜的折射率大于1.8时，与所述栅电极接触的反射膜为第二反射膜。

在其中一实施例中，所述第一反射膜的折射率为1.3-1.8，所述第一反射膜的厚度为60nm-150nm；和/或

所述第二反射膜的折射率为2-2.6，所述第二反射膜的厚度为40nm-100nm。

在其中一实施例中，形成所述第一反射膜的第一材料为Al₂O₃和SiO₂中的一种或多种；和/或

形成所述第二反射膜的第二材料为ZrO₂和TiO₂中的一种或多种。

在其中一实施例中，所述多层反射膜的层数为2-14层。

在其中一实施例中，所述顶发射垂直发光晶体管为正向结构发光晶体管或倒置结构发光晶体管。

一种顶发射垂直发光晶体管的制备方法，包括以下步骤：

在基板上形成栅电极；

在栅电极上形成增反绝缘层；

在增反绝缘层上形成源电极；

在源电极上形成有机功能层；

在有机功能层上形成漏电极；

其中，所述增反绝缘层包括多层反射膜，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同。

在其中一实施例中，在栅电极上形成增反绝缘层的步骤包括以下步骤：

在所述栅电极上沉积第一材料，形成第一反射膜；