[发明专利]顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、栅电极、增反绝缘层、源电极、有机功能层和漏电极；所述增反绝缘层由多层反射膜组成，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同；

所述多层反射膜包括交替设置的第一反射膜和第二反射膜，所述第一反射膜的折射率小于所述第二反射膜的折射率；

所述第一反射膜的折射率为1.3-1.8，所述第一反射膜的厚度为60nm-150nm；

所述第二反射膜的折射率为2-2.6，所述第二反射膜的厚度为40nm-100nm；

所述多层反射膜中各反射膜的厚度各自独立地选自d＝(λ/4n)±30nm，其中λ为顶发射垂直发光晶体管中发光层发出的光的波长，n为该层反射膜的折射率；

所述漏电极为透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，所述增反绝缘层与栅电极接触的反射膜为第一反射膜或第二反射膜。

3.根据权利要求1所述的顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，形成所述第一反射膜的第一材料为Al₂O₃和SiO₂中的一种或多种；和/或

形成所述第二反射膜的第二材料为ZrO₂和TiO₂中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，所述多层反射膜的层数为2-14层。

5.根据权利要求1-3任一项所述的顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，所述顶发射垂直发光晶体管为正向结构发光晶体管或倒置结构发光晶体管。

6.根据权利要求1-3任一项所述的顶发射垂直发光晶体管，其特征在于，所述基板包括玻璃基板或硅片衬底或柔性衬底；

和/或所述栅电极为ITO电极或其他金属材料电极或其他金属氧化物电极；

和/或所述源电极为碳纳米管或纳米银线或金属网格。

7.一种顶发射垂直发光晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成栅电极；

在栅电极上形成增反绝缘层；

在增反绝缘层上形成源电极；

在源电极上形成有机功能层；

在有机功能层上形成漏电极；

其中，所述增反绝缘层由多层反射膜组成，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同；

所述多层反射膜包括交替设置的第一反射膜和第二反射膜，所述第一反射膜的折射率小于所述第二反射膜的折射率；

所述第一反射膜的折射率为1.3-1.8，所述第一反射膜的厚度为60nm-150nm；

所述第二反射膜的折射率为2-2.6，所述第二反射膜的厚度为40nm-100nm；

所述多层反射膜中各反射膜的厚度各自独立地选自d＝(λ/4n)±30nm，其中λ为顶发射垂直发光晶体管中发光层发出的光的波长，n为该层反射膜的折射率；

所述漏电极为透明导电薄膜。

8.根据权利要求7所述的顶发射垂直发光晶体管的制备方法，其特征在于，在栅电极上形成增反绝缘层的步骤包括以下步骤：

在所述栅电极上沉积第一材料，形成第一反射膜；

在第一反射膜上沉积第二材料，形成第二反射膜；

重复所述形成第一反射膜和形成第二反射膜的步骤，至形成n层第一反射膜，其中，所述第一反射膜的折射率小于所述第二反射膜的折射率，n为大于或等于1的整数；或者，

在所述栅电极上沉积第二材料，形成第二反射膜；

在第二反射膜上沉积第一材料，形成第一反射膜；

重复形成所述第二反射膜和形成第一反射膜的步骤，至形成m层第二反射膜，其中，所述第一反射膜的折射率小于所述第二反射膜的折射率，m为大于或等于1的整数。

9.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的顶发射垂直发光晶体管或者包括权利要求7或8所述制备方法制备的顶发射垂直发光晶体管。