[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910189466.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109887884A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 毛淑娟;罗军;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源漏区 非晶化 金属硅化工艺 半导体器件 源漏 掺杂 金属硅化物层 硅化物反应 接触电阻率 固相外延 硅化过程 接触势垒 接触性能 晶态结构 器件结构 掺杂的 制造 生长 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有器件结构，所述器件结构包括栅极以及栅极两侧衬底中的源漏区，所述源漏区具有晶态结构；
对所述源漏区进行掺杂，以使得所述源漏区的表层非晶化，所述掺杂的杂质具有与所述源漏区相同的杂质类型；
进行金属硅化工艺，以在所述源漏区上形成金属硅化物层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述器件结构包括N型器件结构或P型器件结构。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述器件结构包括N型器件结构和P型器件结构，则，所述对所述源漏区进行掺杂，以使得所述源漏区的表层非晶化，包括：
分别对N型器件结构和P型器件结构的源漏区进行掺杂，以分别使得N型器件结构和P型器件结构的源漏区的表层非晶化。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述对所述源漏区进行掺杂，包括：
采用离子注入对所述源漏区进行掺杂。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述N型的器件结构的源漏区中掺杂杂质为P，采用离子注入对N型半导体器件的源漏区进行掺杂时，注入的杂质为As或Sb，离子注入的能量范围为1-5keV，离子注入的剂量范围为1e14-1e15/cm2。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述P型的器件结构的源漏区中掺杂杂质为B，采用离子注入对P型半导体器件的源漏区进行掺杂时，注入的杂质为Ga，离子注入的能量范围为1-5keV，离子注入的剂量范围为1e14-1e15/cm2。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述源漏区为嵌入式的外延结构，所述器件结构为N型器件结构时，所述外延结构为外延硅，所述器件结构为P型器件结构时，所述外延结构为外延锗硅。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述器件结构及所述衬底上还覆盖有层间介质层，所述层间介质层中设置有暴露所述源漏区的接触孔。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属硅化工艺中的金属层的材料为Ti、Ni或Co。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为1-10nm，所述金属硅化工艺中热处理的温度范围为500-600℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
