[发明专利]OLED显示装置及制备方法

说明书

一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括显示区域，以及位于所述显示区域一端的非显示区域；所述非显示区域内设置有多条信号走线、弯折区域以及绑定区域，位于所述弯折区域的信号走线至少包括VDD信号走线以及VSS信号走线，所述弯折区域内还设置一有机层间绝缘层；其中，在所述弯折区域内，位于所述VDD信号走线与所述VSS信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层一端的边缘长度大于或等于3000微米。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。

背景技术

目前AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)以其轻薄，可弯折，不易碎，可穿戴等优点成为下一代显示技术的杰出代表，然而目前仍有很多技术问题需要攻克。首先弯折性能就是最关键的衡量标准，为了减少产品在弯折过程中应力过大所带来的风险，各企业对平板弯折区的材料的选择以及结构的优化正在积极研究中，目前主流产品在平板的弯折区域主要采用多步蚀刻的方式去除无机膜层，相应的采用应力较小的有机膜层取代，提高产品的弯折性能。但是在实验过程中，我们发现以下制程风险：在有机膜层边缘会发生源漏极金属层的线状残留，VDD信号走线(恒压高电平信号走线)与VSS信号走线(恒压低电平信号走线)之间的距离大概在100-200微米之间，在VDD信号走线与VSS信号走线之间的残留的源漏极金属层会导致VDD信号走线与VSS信号走线发生短路，从而导致信号异常。

综上所述，现有的OLED显示装置，由于在弯折区域采用应力较小的有机膜层时其边缘会发生源漏极金属层的线状残留，导致VDD信号走线与VSS信号走线因为间距过短发生短路，进一步导致信号异常。

发明内容

本发明提供一种OLED显示装置及制备方法，能够增加有机膜层边缘的源漏极金属层的残留路径，以解决现有的OLED显示装置，由于在弯折区域采用应力较小的有机膜层时其边缘会发生源漏极金属层的线状残留，导致VDD信号走线与VSS信号走线因为间距过短发生短路，进一步导致信号异常的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括显示区域，以及位于所述显示区域一端的非显示区域；所述非显示区域内设置有多条信号走线、弯折区域以及绑定区域，每一所述信号走线的一端连接所述显示区域，每一所述信号走线的相对另一端经过所述弯折区域延伸至所述绑定区域，位于所述弯折区域的信号走线至少包括电源线以及数据信号线，所述弯折区域内还设置一有机层间绝缘层，所述电源线与其相邻的所述信号走线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘；

其中，在所述弯折区域内，所述电源线和与其相邻的所述信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层的边缘长度大于或等于所述电源线的宽度。

根据本发明一优选实施例，所述电源线包括VDD信号走线以及VSS信号走线，在所述弯折区域内，所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线或所述数据信号线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘。

根据本发明一优选实施例，位于弯折区域内的所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线的间距范围为3000-5000微米。

根据本发明一优选实施例，在所述弯折区域内，所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层的边缘形状设置为弓形。

根据本发明一优选实施例，所述OLED显示装置位于所述弯折区域的部分包括柔性衬底、阻挡层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、无机层间绝缘层、所述有机层间绝缘层、源漏极金属层、平坦化层、像素限定层以及像素支撑层，所述有机层间绝缘层贯穿所述无机层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并与所述柔性衬底相连。