[发明专利]OLED显示装置及制备方法有效
| 申请号: | 201910188094.2 | 申请日: | 2019-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN109979973B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 白思航;郑园 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括显示区域,以及位于所述显示区域一端的非显示区域;所述非显示区域内设置有多条信号走线、弯折区域以及绑定区域,每一所述信号走线的一端连接所述显示区域,每一所述信号走线的相对另一端经过所述弯折区域延伸至所述绑定区域,位于所述弯折区域的信号走线至少包括电源线以及数据信号线,所述弯折区域内还设置一有机层间绝缘层,所述电源线与其相邻的所述信号走线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘;
其中,在所述弯折区域内,所述电源线和与其相邻的所述信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层的边缘长度大于或等于所述电源线的宽度。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述电源线包括VDD信号走线以及VSS信号走线,在所述弯折区域内,所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线或所述数据信号线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其特征在于,位于弯折区域内的所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线的间距范围为3000-5000微米。
4.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其特征在于,在所述弯折区域内,所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层的边缘形状设置为弓形。
5.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置位于所述弯折区域的部分包括柔性衬底、阻挡层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、无机层间绝缘层、所述有机层间绝缘层、源漏极金属层、平坦化层、像素限定层以及像素支撑层,所述有机层间绝缘层贯穿所述无机层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并与所述柔性衬底相连。
6.根据权利要求5所述的OLED显示装置,其特征在于,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,所述缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅其中的一种或两种,所述有机层间绝缘层的材料为有机光阻,所述第一栅极绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅,所述第二栅极绝缘层的材料与所述第一栅极绝缘层的材料相同,所述源漏极金属层的材料为钛或钛铝合金。
7.一种OLED显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
S10,提供一基板,在所述基板表面制备柔性衬底,之后在所述柔性衬底表面依次制备阻挡层以及缓冲层,然后在所述缓冲层的表面制备有源层,之后在所述缓冲层的表面制备第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述有源层,然后在所述第一栅极绝缘层的表面制备第一栅极金属层,第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层并完全覆盖所述第一栅极金属层,在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极金属层,之后在所述第二栅极金属层上制备无机层间绝缘层;
S20,通过掩膜对所述阻挡层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述无机层间绝缘层进行干法刻蚀,在非显示区域形成沟槽,所述沟槽暴露出所述柔性衬底,在所述沟槽内填充形成有机层间绝缘层;
S30,将电源线在弯折区域内与其相邻的信号走线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘,使得所述电源线和与其相邻的所述信号走线之间的部分所述有机层间绝缘层一端的边缘长度大于或等于所述电源线的宽度;
S40,在所述无机层间绝缘层的表面依次制备源漏极金属层以及平坦化层,所述平坦化层完全覆盖所述源漏极金属层,最后在所述平坦化层的表面依次制备阳极金属层、像素限定层以及像素支撑层,所述阳极金属层的一部分与所述源漏极金属层直接相连,最后去除基板。
8.根据权利要求7所述的OLED显示装置的制备方法,其特征在于,所述S30中,所述电源线包括VDD信号走线以及VSS信号走线,在所述弯折区域内,所述VDD信号走线和与其相邻的所述VSS信号走线或数据信号线之间相互平行设置且分别经过所述有机层间绝缘层的边缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





