[发明专利]反相电路

权利要求书

1.一种反相器，包括：

半导体衬底；

Z²-FET开关，设置在所述半导体衬底的第一表面处；以及

又一开关，设置在所述半导体衬底的所述第一表面处，所述又一开关具有在第一参考端子和第二参考端子之间与所述Z²-FET开关的电流路径串联耦合的电流路径。

2.根据权利要求1所述的反相器，其中所述Z²-FET开关包括耦合至反相器输入端子的第一栅极。

3.根据权利要求1所述的反相器，其中所述Z²-FET开关为N型。

4.根据权利要求1所述的反相器，其中所述Z²-FET开关为P型。

5.根据权利要求1所述的反相器，其中所述又一开关包括第二Z²-FET开关。

6.根据权利要求5所述的反相器，其中所述Z²-FET开关是N型Z²-FET开关，并且所述又一开关是P型Z²-FET开关。

7.根据权利要求6所述的反相器，其中所述Z²-FET开关具有耦合至所述第一参考端子的阳极和耦合至反相器输出端子的阴极，并且所述又一开关具有耦合至所述反相器输出端子的阳极和耦合至所述第二参考端子的阴极。

8.根据权利要求7所述的反相器，其中所述第一参考端子是电源端子。

9.根据权利要求7所述的反相器，其中所述第二参考端子是参考端子。

10.根据权利要求9所述的反相器，其中所述参考端子为地。

11.根据权利要求5所述的反相器，其中所述Z²-FET开关和所述又一开关均包括第一栅极和第二栅极。

12.根据权利要求11所述的反相器，其中所述第一栅极位于所述半导体衬底的上表面上，并且其中所述第二栅极位于所述半导体衬底的下表面上，所述下表面与所述上表面相对。

13.根据权利要求11所述的反相器，其中每一个第二栅极都包括N型掺杂部分和P型掺杂部分。

14.根据权利要求13所述的反相器，其中对于所述Z²-FET开关和所述又一开关，所述P型掺杂部分耦合至正电位，并且所述N型掺杂部分耦合至负电位。

15.根据权利要求1所述的反相器，其中所述Z²-FET开关包括：

阳极区；

阴极区；

P型掺杂区，将所述阳极区与所述阴极区隔开；以及

绝缘栅极区，位于所述P型掺杂区的顶部上且与所述P型掺杂区的一部分接触。

16.根据权利要求1所述的反相器，其中所述又一开关包括MOSFET。

17.一种反相器，包括：

N型Z²-FET开关，具有耦合至反相器输出端子的阴极、耦合至正参考端子的阳极、耦合至反相器输入端子的顶部栅极以及背部栅极，所述背部栅极具有耦合至正电位的P型掺杂部分和耦合至负电位的N型掺杂部分；以及

P型Z²-FET开关，具有连接至所述N型Z²-FET开关的阴极和所述反相器输出端子的阴极、耦合至负参考端子的阳极、耦合至所述反相器输入端子的顶部栅极以及背部栅极，所述背部栅极具有耦合至所述正电位的P型掺杂部分和耦合至负电位的N型掺杂部分。