[发明专利]环烯烃组合物及应用其的半导体容器

说明书

本发明公开一种环烯烃组合物，其包括添加石墨烯材料之环烯烃共聚物或添加石墨烯材料的环烯烃聚合物，其中石墨烯材料所占的重量百分比为0.6％～1.8％。本发明提供一种环烯烃半导体容器，其由该环烯烃组合物所制成。

技术领域

本发明涉及材料组合物及其应用技术领域，特别涉及一种由添加石墨烯 材料的环烯烃组合物及应用其的半导体容器。

背景技术

在半导体工业中，常见作为传载使用的容器包括了传送盒以及储存盒两 大类。而常见的半导体容器主体材料包括聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚碳 酸酯(Polycarbonate,PC)和液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)等等。

早期传送盒以聚丙烯为主体材料者居多，但因其制造良率低，现已较少 使用；后又发展以聚碳酸酯为主体材料者，但又因材料本身吸水率大于0.25％， 低湿维持时间短，相对其制程加工过程对维持干燥的需求就较高，会使制造 成本提升，故现也较少使用。至于以液晶聚合物为主体材料者，一般认为具 有高硬度、高热变形温度、高良率以及湿度维持时间长之优点。但仍存有其 他问题，如材料成本较高、垂直流体方向强度弱而容易断裂等问题。

因此，面对半导体工业严格的制程标准和成本考虑，在不更动容器主体 结构的情况下，其主体材料的选择则显得至关重要。要如何单藉材料的改良， 达到质轻、高尺寸安定性、耐冲击、湿度维持时间长、低有害气体释出以及 低有机气体挥发等诸多要求，此乃本发明欲解决的课题之一。

针对上述材质，在后续的开发应用中，如中国台湾专利公告号第 TWI560798号专利所示的发明，其中提及了应用环烯烃组合物添加奈米碳管 (Carbon Nanotube,CNT)以达到调控半导体容器至抗静电(Anti-static)等级 的技术。然而，中国台湾专利公告号第TWI560798号专利在欲将容器调整至抗 静电(Anti-static)等级时，所需要添加的奈米碳管重量百分比高达2.0％～2.8％。 基于奈米碳管(Carbon Nanotube,CNT)属于昂贵的碳材料，对于高重量百分 比的奈米碳管添加，虽有助于其各项特性提升，但将会使半导体容器的成本 大幅度的提高。此外，对于半导体容器中使用过量的奈米碳管(Carbon Nanotube,CNT)，也有可能造成环境污染。

发明内容

有鉴于先前技术所提及制造成本大幅提高以致商用困难和可能造成环境 污染的问题，本发明提供了一种环烯烃组合物，能大幅减少奈米碳管的使用 和污染问题，又能同时达到表现抗静电(Anti-static)特性的技术。

如上所述，本发明揭露了提供一种环烯烃组合物，其构成材料包括环烯 烃类化合物，并进一步添加石墨烯材料，并使石墨烯材料所占的重量百分比 为0.6％～1.8％。其中，环烯烃类化合物可为环烯烃共聚物(Cycloolefin copolymer,COC)或环烯烃聚合物(Cycloolefin polymer,COP)；而该石墨烯 材料可以是石墨烯微片(Graphenenanoplatelets)、氧化石墨烯(graphene oxide) 或其组合。

环烯烃类化合物的制造方式，一是以开环交换聚合法 (Ring-peningmetathesispolymerization,ROMP)，反应射出成型的热固性共聚 物，以及利用氢化步骤控制分子量的热塑性共聚物，即为环烯烃共聚物 (Cycloolefin copolymer,COC)这一类。另一则是在触媒存在下进行聚合反应， 使其主链上保有双环狀结构，即环烯烃聚合物(Cycloolefinpolymer,COP)这 一类。本发明进一步将环烯烃类化合物添加0.6％～1.8％重量百分比的石墨烯材 料。

本发明的环烯烃半导体容器，系以前述的环烯烃组合物所制成，使其具 有质轻、高尺寸安定性、耐冲击、湿度维持时间长、低有害气体释出以及高 良率等特性。