[发明专利]一种Ka全频段功率合成放大器模块及其波导路径结构

权利要求书

1.一种Ka全频段功率合成放大器模块，包括金属上盖、金属下盖以及印刷基板，所述印刷基板容置在由所述上盖和下盖组成的盒体内；其中，所述印刷基板信号输入端与输入波导功率分配单元连接，信号输出端与输出波导功率合成单元连接；所述输入波导功率分配单元、输出波导功率合成单元包括波导路径结构，所述波导路径结构为一空腔通道，包括与所述功率合成放大器模块输入信号或输出信号连接的第一波导路径、从第一波导路径末端分别向纵向两侧对称延伸形成的第二波导路径，以及分别从两段第二波导路径末端横向沿着信号传递方向向前对称延伸形成的第三波导路径；其特征在于：

第一波导路径末端具有一截面突然收缩的环形第一狭窄部，第一波导路径通过该第一狭窄部与第二波导路径连接；

所述第二波导路径在其相对第一波导路径的另一侧中间位置形成有向第一波导路径方向凹陷的大致V型的凹槽，该V型凹槽使得第二波导路径在该处形成截面突然收缩的第二狭窄部；

所述功率合成放大器模块包括能够相互组合的金属上盖和金属下盖，上盖和下盖内表面分别对应形成有槽道，所述空腔通道由上盖和下盖的槽道组合而成；其中，所述槽道具有与所述第一狭窄部、第二狭窄部互补的结构；

所述槽道包括与输入信号连接的第一槽道、从第一槽道末端分别向纵向两侧对称延伸形成的第二槽道，以及分别从两段第二槽道末端横向向前对称延伸形成的第三槽道；

其中，所述第一槽道末端具有一半环形凸岛结构，以形成所述第一波导路径的第一狭窄部，该凸岛结构具有基本为平面的顶面，该顶面的横向宽度为1-2mm，凸岛结构顶面与第一槽道槽底的距离为0.2-1.5mm，凸岛结构一侧面为与第一槽道内表面连接的弧形面，另一侧面与第二槽道的内表面共面，凸岛结构的顶面与所述另一侧面之间的夹角小于90°；

所述第二槽道在中间位置形成有从槽道内壁向内突出的尖角，以形成所述第二波导路径的第二狭窄部，该尖角具有大致倒V型截面，其两侧面底部分别与沿纵向向两侧延伸的第二槽道内表面以弧形面过渡连接，所述两侧面形成的夹角在10°到20°范围内，所述尖角相对于第二槽道内表面的突起高度为2-5mm；

所述第二槽道与第三槽道在两者形成的外拐角部通过一斜面连接，以俯视所述上盖或下盖内表面的角度观察，该斜面与第二槽道外侧轮廓线形成的夹角在120°到150°范围内，该斜面与第三槽道外侧轮廓线反向延长线形成的夹角在30°到50°范围内；

所述印刷基板上设有多个功率放大芯片，所述上盖和/或下盖内部设有用于隔离相邻功率放大芯片的金属屏蔽墙；所述功率放大芯片设有多个用于消除电源干扰的旁路滤波电容，所述电容被安装在所述上盖或下盖的外侧壁上。

2.根据权利要求1所述的Ka全频段功率合成放大器模块，其特征在于：所述第二波导路径在其向纵向两侧延伸的方向上具有截面逐渐展宽的结构。

3.根据权利要求1所述的Ka全频段功率合成放大器模块，其特征在于：所述第二波导路径纵向左侧的外轮廓线与所述第一波导路径的外轮廓线夹角小于90度。