[发明专利]嵌有部件的部件承载件材料的层堆叠体和共同高温稳健介电结构在审
申请号: | 201910183266.7 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN110265311A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 约翰尼斯·施塔尔;蒂莫·施瓦茨;马里奥·朔贝尔 | 申请(专利权)人: | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/683;H01L23/482;H01L23/488 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦;洪玉姬 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层堆叠 承载件 介电结构 固化 电子器件 一体连接 未固化 主表面 凹部 嵌有 半成品 施加 制造 | ||
1.一种制造方法,其中,所述方法包括:
设置包括至少部分未固化的部件承载件材料(102)的层堆叠体(100);
在所述层堆叠体(100)的凹部(114)中布置多个部件(104);
通过使所述部件承载件材料(102)固化将所述部件(104)与所述层堆叠体(100)一体连接;
在其中具有所述部件(104)的固化的层堆叠体(100)的主表面上施加高温稳健介电结构(106)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括:在布置有所述高温稳健介电结构(106)的所述主表面上形成再分布层(108),其中,所述高温稳健介电结构(106)形成所述再分布层(108)的一部分。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述方法还包括:在所述再分布层(108)的所述高温稳健介电结构(106)中形成导电结构(110),用于将所述部件(104)与所述再分布层(108)的暴露表面电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,通过由下述组成的组中的一种将所述高温稳健介电结构(106)施加在其中具有所述部件(104)的所述层堆叠体(100)的所述主表面上:旋涂、喷涂、辊涂、狭缝模具式涂覆、以及附接干膜。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述部件(104)包括由半导体部件和半导体晶圆组成的组中的一种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述方法包括:使所述层堆叠体(100)形成为具有部件承载件板件大小,特别地具有在12x 12平方英寸至24x 24平方英寸之间的范围内的大小。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,所述方法包括:从所述层堆叠体(100)分离出圆形部段,特别地在形成所述高温稳健介电结构(106)之前进行所述分离。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括通过由下述组成的组中的至少一种形成所述凹部(114):铣削、激光切割、冲压和钻削。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括:
在所述层堆叠体(100)的主表面上附接临时承载件(116);以及
随后将所述部件(104)插入所述凹部(114)中并将其附接至所述临时承载件(116)上,其中,特别地,所述方法还包括在使所述至少部分未固化的部件承载件材料(102)固化后移除所述临时承载件(116)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造