[发明专利]晶粒尺寸的检测方法

权利要求书

1.一种晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，包括：

提供多个基准薄膜，并获取各个基准薄膜的折射率和晶粒尺寸；

根据多个基准薄膜的折射率值和对应的晶粒尺寸值，建立折射率和晶粒尺寸的对应关系，包括：根据多个基准薄膜的折射率值和对应的晶粒尺寸值进行模型推算，以建立折射率关于晶粒尺寸的函数关系式，或者建立晶粒尺寸关于折射率的函数关系式；以及，

提供待检测薄膜，以及检测所述待检测薄膜的折射率，并根据所述折射率和晶粒尺寸的对应关系，推导出所述待检测薄膜的晶粒尺寸。

2.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，建立折射率和晶粒尺寸的对应关系的方法包括：

根据多个基准薄膜的折射率值和对应的晶粒尺寸值，建立晶粒尺寸和折射率的对照表。

3.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，建立折射率和晶粒尺寸的对应关系的方法包括：

根据多个基准薄膜的折射率值和对应的晶粒尺寸值，绘制折射率关于晶粒尺寸的图表，或者绘制晶粒尺寸关于折射率的图表。

4.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，晶粒尺寸关于折射率的函数关系式为：晶粒尺寸是关于折射率的一次函数。

5.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，优先检测所述基准薄膜的折射率，接着再测量所述基准薄膜的晶粒尺寸。

6.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，检测所述基准薄膜的折射率的方法包括：

利用激光椭圆偏振仪测量所述基准薄膜的折射率。

7.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，获取所述基准薄膜的晶粒尺寸的方法包括：

对所述基准薄膜进行切片处理，以获取基准薄膜的切片样品；以及，

利用扫描电子显微镜对所述切片样品中的晶粒尺寸进行测量。

8.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，检测所述待检测薄膜的折射率的方法包括：

利用激光椭圆偏振仪测量所述待检测薄膜的折射率。

9.如权利要求1所述的晶粒尺寸的检测方法，其特征在于，所述基准薄膜和所述待检测薄膜均为多晶硅薄膜。