[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，特别来说，是涉及一种具有屏蔽结构半导体结构及其制作方法，可降低射频(radio frequency,RF)电路的电磁波干扰。

背景技术

在现代的信息社会中，由集成电路(integrated circuit,IC)所构成的微处理器系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、移动通讯设备、个人计算机等，都有集成电路的踪迹。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。

一般所谓集成电路，是通过现有半导体制作工艺中所生产的管芯(die)而形成。制造管芯的过程，由生产一晶片(wafer)开始：首先，在一片晶片上区分出多个区域，并在每个区域上，通过各种半导体制作工艺如沉积、光刻、蚀刻或平坦化步骤，以形成各种所需的电路路线，接着，再对晶片上的各个区域进行切割而成各个管芯，并利用各种的封装技术，将管芯封装成芯片(chip)，最后再将芯片电连接至一电路板，如一印刷电路板(printedcircuit board,PCB)，使芯片与印刷电路板的接脚(pin)电连接后，便可执行各种程式化(程序)的处理，而形成一完整的封装体。

而为了因应通讯时代的来临，现有半导体装置常会设计有无线射频电路，以执行无线通讯功能。但无线射频电路常会产生强大的电磁波，容易对设置于四周的其他电路产生电磁效应的干扰与噪声(electromagnetic interference,EMI)，而影响其正常运作，而这是一个需要解决与克服的问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构，包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。

本发明另提供一种半导体结构的制作方法，首先，形成一正面氧化层以及一背面氧化层，其中该正面氧化层位于该背面氧化层上，还有形成一正面电子元件于该正面氧化层中，并且形成一背面电子元件于该背面氧化层中，以及形成一屏蔽层结构于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。

本发明的其中一特征，在第一氧化层(正面氧化层)与第二氧化层(背面氧化层)之间形成有图案化埋层金属层，此图案化埋层金属层可以同时作为正面的屏蔽结构的一部分以及背面的屏蔽结构的一部分。换句话说，在基底的正面，形成有至少两正面接触结构，与图案化埋层金属层电连接，且至少一电子元件被两正面接触结构以及图案化埋层金属层所包围，以达到防止电子元件的电磁波的功效。同样地，在基底的背面，形成有至少两背面接触结构，与图案化埋层金属层电连接，且至少一电子元件被两背面接触结构以及图案化埋层金属层包围，以达到防止电子元件的电磁波的功效。

附图说明

图1至图9为本发明具有屏蔽结构的半导体结构的制作流程示意图，其中:

图2为图1的结构继续进行步骤后的结构示意图；

图3为图2的结构继续进行步骤后的结构示意图；

图4为图3的结构继续进行步骤后的结构示意图；

图5为图4的结构继续进行步骤后的结构示意图；