[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含有:

正面氧化层，位于背面氧化层上；

正面电子元件，位于该正面氧化层中；

背面电子元件，位于该背面氧化层中；以及

屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面；

其中该两正面接触结构位于该正面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层；

其中该正面电子元件位于该两正面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该屏蔽层结构接地。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有多条正面导电线路，位于该正面氧化层上，并且部分该正面导电线路通过至少一正面接触结构与该屏蔽层结构电连接。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该两背面接触结构位于该背面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该背面电子元件位于该两背面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中还包含有多条背面导电线路，位于该背面氧化层下，并且部分该背面导电线路通过至少一背面接触结构与该屏蔽层结构电连接。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该图案化埋层金属层的材质包含有钨(W)、硅化钨(WSi)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该正面电子元件与该背面电子元件的至少其中之一包含有晶体管。

9.一种半导体结构的制作方法，包含有:

形成正面氧化层以及背面氧化层，其中该正面氧化层位于该背面氧化层上；

形成正面电子元件于该正面氧化层中；

形成背面电子元件于该背面氧化层中；以及

形成屏蔽层结构于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的背面；

其中该两正面接触结构位于该正面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层；

其中该正面电子元件位于该两正面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中该屏蔽层结构接地。

11.如权利要求9所述的制作方法，其中还包含形成有多条正面导电线路于该正面氧化层上，并且部分该正面导电线路通过至少一正面接触结构与该屏蔽层结构电连接。

12.如权利要求9所述的制作方法，其中该两背面接触结构位于该背面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中该背面电子元件位于该两背面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。

14.如权利要求12所述的制作方法，其中还包含有多条背面导电线路，位于该背面氧化层下，并且部分该背面导电线路通过至少一背面接触结构与该屏蔽层结构电连接。

15.如权利要求9所述的制作方法，其中该屏蔽层结构的材质包含有钨(W)、硅化钨(WSi)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)。

16.如权利要求9所述的制作方法，其中该正面电子元件与该背面电子元件的至少其中之一包含有晶体管。