[发明专利]分栅快闪存储器的形成方法及分栅快闪存储器

说明书

本发明提供了一种分栅快闪存储器的制造方法及分栅快闪存储器，分栅快闪存储器，包括：衬底、衬底氧化层、功能层、第一侧墙结构、共享字线及第二侧墙结构。其中所述功能层包括一浮栅层，自所述浮栅层露出的表面向所述浮栅层中掺杂补偿离子，所述浮栅层中具有原始离子，所述原始离子与所述补偿离子在所述浮栅层中靠近所述第二侧墙结构处形成电压势垒，所述电压势垒使得所述分栅快闪存储器中形成内置电场，内置电场的存在可以有效的阻止电子往所述外侧墙结构运动，大大减少了电子从所述外侧墙结构逃离的几率，从而提高了共享字线的分栅快闪存储器数据保持能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种分栅快闪存储器的形成方法及 分栅快闪存储器。

背景技术

在现有存储器发展中，分栅快闪存储器已经成为一种重要的非挥发性存储 器，数据保持能力是存储器品质的一个重要参数。共享字线的分栅快闪存储器 是分栅快闪存储器中的一种，共享字线的分栅快闪存储器利用浮栅层作为存储 单元，其数据保持能力和与浮栅层相邻的侧墙结构的厚度密切相关。

目前，因为侧墙结构还影响到逻辑CMOS部分的其他性能，共享字线的分 栅快闪存储器的侧墙结构厚度一般较薄，这就会带来共享字线的分栅快闪存储 器的数据保持能力不佳的影响。因此，在不影响逻辑CMOS部分的其他性能的 情况下，改善共享字线的分栅快闪存储器的数据保持能力成为一个迫切需要解 决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种分栅快闪存储器的制造方法及分栅快闪存储器， 以解决分栅快闪存储器的数据保持能力较差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种分栅快闪存储器的形成方法，包括 以下步骤：

提供一衬底，所述衬底上形成有衬底氧化层及功能层，所述功能层包括依 次形成于所述衬底氧化层上的浮栅层、ONO膜层、控制栅层及第一氮化硅层， 其中，所述浮栅层中具有原始离子；

刻蚀所述功能层至所述衬底氧化层表面以形成第一沟槽；

在所述第一沟槽的侧壁上形成第一侧墙结构；

形成共享字线，所述共享字线填充所述第一沟槽；

刻蚀所述第一氮化硅层、所述控制栅层及所述ONO膜层至所述浮栅层表面；

自所述浮栅层露出的表面向所述浮栅层中掺杂补偿离子，以在所述原始离 子与所述补偿离子的交界处形成电压势垒；

刻蚀所述浮栅层中露出的部分至所述衬底氧化层表面；以及

在所述衬底氧化层上形成第二侧墙结构，所述第二侧墙结构覆盖所述功能 层的侧壁。

可选的，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，往所述浮栅层中掺杂补偿 离子的工艺为离子注入工艺。

可选的，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，所述补偿离子的导电类型 为P型，所述原始离子的导电类型为N型；或者，所述补偿离子的导电类型为 N型，所述原始离子的导电类型为P型。

可选的，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，所述离子注入工艺的工艺 条件包括：采用的离子为硼离子，注入能量介于500eV至5000eV，注入剂量 介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

可选的，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，所述离子注入工艺的工艺 条件包括：采用的离子为BF₂⁺离子，注入能量介于500eV至5000eV，注入剂 量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。