[发明专利]分栅快闪存储器的形成方法及分栅快闪存储器

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底上形成有衬底氧化层及功能层，所述功能层包括依次形成于所述衬底氧化层上的浮栅层、ONO膜层、控制栅层及第一氮化硅层，其中，所述浮栅层中具有原始离子；

刻蚀所述功能层至所述衬底氧化层表面以形成第一沟槽；

在所述第一沟槽的侧壁上形成第一侧墙结构；

形成共享字线，所述共享字线填充所述第一沟槽；

刻蚀所述第一氮化硅层、所述控制栅层及所述ONO膜层至所述浮栅层表面；

自所述浮栅层露出的表面向所述浮栅层中掺杂补偿离子，以在所述原始离子与所述补偿离子的交界处形成电压势垒；

刻蚀所述浮栅层中露出的部分至所述衬底氧化层表面；以及

在所述衬底氧化层上形成第二侧墙结构，所述第二侧墙结构覆盖所述功能层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，往所述浮栅层中掺杂补偿离子的工艺为离子注入工艺。

3.根据权利要求2所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述补偿离子的导电类型为P型，所述原始离子的导电类型为N型；或者，所述补偿离子的导电类型为N型，所述原始离子的导电类型为P型。

4.根据权利要求3所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的工艺条件包括：采用的离子为硼离子，注入能量介于500eV至5000eV，注入剂量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

5.根据权利要求3所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的工艺条件包括：采用的离子为BF₂⁺离子，注入能量介于500eV至5000eV，注入剂量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

6.根据权利要求3所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的工艺条件包括：采用的离子为铟离子，注入能量介于500eV至5000eV，注入剂量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

7.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺刻蚀所述控制栅层及所述ONO膜层至所述浮栅层表面。

8.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述共享字线、所述控制栅层及所述浮栅层的材料均为多晶硅。

9.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底氧化层及所述功能层通过低压化学气相沉积的方式形成于所述衬底上。

10.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙结构包括：依次覆盖在所述第一沟槽侧壁上的第一氧化硅层、第二氮化硅层及隧穿氧化层。

11.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙结构包括依次覆盖在所述功能层侧壁的第二氧化硅层、第三氮化硅层和第三氧化硅层。