[发明专利]一种基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法在审
申请号: | 201910167644.2 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN109943839A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 韩三灿;丁园鹏;朱钰方 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | C23C22/63 | 分类号: | C23C22/63;C23C22/83 |
代理公司: | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫氰酸亚铜 制备 氧化亚铜 铜基 形貌 硫氰酸盐溶液 产品性能 反应条件 结构形貌 前提要求 形貌结构 原料价格 制备工艺 制备过程 重大意义 生长 常温下 高纯度 薄膜 生产 研究 | ||
1.一种基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:配置碱性溶液;
步骤2:将金属铜置于所述碱性溶液中,得到铜基产物;
步骤3:将所述铜基产物置于氮气下煅烧,得到氧化亚铜;
步骤4:将所述氧化亚铜置于硫氰酸盐溶液中得到硫氰酸亚铜。
2.根据权利要求1所述的基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,在步骤1中,所述碱性溶液按照重量百分比1%-6%的NaOH、1%-9%的NH4S2O8和98%-85%H2O混合配比而成。
3.根据权利要求1所述的基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,在步骤2中,将所述铜基产物置于所述碱性溶液中浸泡1-3h。
4.根据权利要求1所述的基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,在步骤3中,将所述铜基产物置于氮气下煅烧煅烧2-5h,锻造温度为250℃-600℃。
5.根据权利要求1所述的基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,在步骤4中,所述硫氰酸盐溶液浓度为0.001-0.01mol/L。
6.根据权利要求1所述的基于铜基生长硫氰酸亚铜的制备方法,其特征在于,所述铜基产物为氢氧化铜或者氧化铜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
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