[发明专利]透明导电性薄膜、触控屏及其制备方法

说明书

本发明涉及一种透明导电性薄膜，包括基材、过渡层、纳米导电层及金属层。由于纳米导电层与金属层均具有较佳的可挠性，故可应用于可折叠触摸屏方案。而且，过渡层与纳米导电层之间部分重叠、融合，形成混合层，从而增加纳米导电层与过渡层之间的附着力，故在提升上述透明导电性薄膜可靠性的同时，还无需额外设置外覆层。因此，在将上述透明导电性薄膜用于制备触控屏时，金属层可以与纳米导电层同时被蚀刻加工，从而可显著简化触控屏的制备流程，有效地提升了生产效率。此外，本发明还提供一种触控屏及一种触控屏的制备方法。

技术领域

本发明涉及电容式触控技术领域，特别涉及一种透明导电性薄膜、触控屏及其制备方法。

背景技术

透明导电性薄膜是电容式触控屏的核心元件，一般包括基材层、ITO透明导电层及金属层。随着用户的需求不断挖掘，可折叠的触控方案应运而生。由于ITO硬而脆，不适合做可弯折的导电材料，故应用于可折叠触控方案的导电性薄膜中，ITO透明导电层采用纳米导电层替代。

纳米导电层由于结构限制，与基材之间的附着力较差，故目前纳米导电层形成后，还需在表面涂布外涂层来增强附着力。然而，外涂层无法被酸性蚀刻液蚀刻。因此，在利用现有的将透明导电性薄膜制备触控屏时，对金属层及透明导电层的蚀刻需分两步进行，这将导致触控屏的加工工艺复杂化，进而降低生产效率。

发明内容

基于此，有必要针对现有透明导电性薄膜应用于触控屏制备时效率不高的问题，提供一种可提升触控屏生产效率的透明导电性薄膜。

一种透明导电性薄膜，包括：

基材，具有相对的两个表面；及

依次形成于所述基材至少一个表面的过渡层、纳米导电层及金属层，所述过渡层及所述纳米导电层分别由固化胶及纳米导电材料固化形成；

其中，所述过渡层与所述纳米导电层部分重叠，以形成包含部分所述固化胶及部分所述纳米导电材料的混合层。

由于纳米导电层与金属层均具有较佳的可挠性，故可应用于可折叠触摸屏方案。而且，过渡层与纳米导电层之间部分重叠、融合，形成混合层，从而增加纳米导电层与过渡层之间的附着力，故在提升上述透明导电性薄膜可靠性的同时，还无需额外设置外覆层。因此，在将上述透明导电性薄膜用于制备触控屏时，金属层可以与纳米导电层同时被蚀刻加工，从而可显著简化触控屏的制备流程，有效地提升了生产效率。

在其中一个实施例中，所述基材的厚度为5微米至100微米。

同种材料的基材厚度越小则弯折性能越好，但相应的机械强度越低。当基材厚度小于5微米时，其机械强度则不足以起到支撑作用；而当基材的厚度的大于100微米时，其弯折性能则无法满足透明导电性薄膜可折叠的需求。因此，厚度为5微米至100微米的基材可兼顾弯折性能及机械强度。

在其中一个实施例中，所述过渡层的厚度小于10微米。

过渡层的厚度过大将会降低透明导电性薄膜的可挠性。同时，还会对透明导电性薄膜的透光率造成不利影响。因此，将过渡层控制在10微米以下有利于改善透明导电性薄膜的透光率及可挠性。

在其中一个实施例中，所述纳米导电层的厚度为5纳米至1000纳米。

当纳米导电层的厚度小于5纳米时，其实现导电的可靠性不高；而当纳米导电层的厚度的大于1000纳米时，其弯折性能则无法满足透明导电性薄膜可折叠的需求。因此，厚度为5纳米至1000纳米的纳米导电层可兼顾弯折性能及导电可靠性。

在其中一个实施例中，所述混合层的厚度为1纳米至5纳米。