[发明专利]一种智能化SiC半导体基板制备流程

说明书

本发明公开了一种智能化SiC半导体基板制备流程，具体包括以下步骤：S1、选择材料为基础基板，通过在基础基板表层部的Si进行炭化处理而外延生长形成SiC层，将该基础基板在含有氮及氧分子的气体环境下，以970℃—1150℃以上的温度将该表面含有SiC层的基础基板进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，再在该基础基板的一个表面导入高浓度的氮，S2、将SiC基板放进烘箱内进行烘烤，本发明涉及SiC半导体基板技术领域。该智能化SiC半导体基板制备流程，通过采用SiC半导体制成的基板可能够实现将电力损失降到最小以及电力变换器的小型化，以及实现能够在高温下工作和高速工作等优秀特性，为后续该半导体基板的正常工作奠定了基础。

技术领域

本发明涉及SiC半导体基板技术领域，具体为一种智能化SiC半导体基板制备流程。

背景技术

金刚砂又名碳化硅(SiC)，是用石英砂、石油焦(或煤焦)和木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅又称碳硅石，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小和耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，此外碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒，碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。

现有在各类电气电子设备以及家电产品等众多领域中均使用了用于进行电力的控制和供给的功率的半导体，而大多数半导体都采用Si(硅)半导体，这种半导体的耐压以及化学稳定性较差，使用时电力损失较大，不利于实际使用的需求。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种智能化SiC半导体基板制备流程，解决了现有采用硅半导体的电子设备存在耐压性以及化学稳定性较差的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种智能化SiC半导体基板制备流程，具体包括以下步骤：

S1、选择材料为基础基板，通过在基础基板表层部的Si进行炭化处理而外延生长形成SiC层，将该基础基板在含有氮及氧分子的气体环境下，以970℃—1150℃以上的温度将该表面含有SiC层的基础基板进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，再在该基础基板的一个表面导入高浓度的氮；

S2、将SiC基板放进烘箱内进行烘烤，设定温度值为70℃-100℃，烘烤时间为0.5h-1h；

S3、烘烤结束后，将SiC基板拿出，通过电解清洗去除基板表面的氧化物，减少面铜厚度；

S4、使用具有为SiC基板直径至少三倍的表面研磨工具对其进行去毛边打磨处理，保持其表面的光滑性，打磨时间为15min-30min；

S5、将打磨好后的SiC基板放入超声波清洗槽内，设定清洗的时间为15min-30min，设定结束后，启动超声波发生器，超声波清洗槽内的超声波振板可对清洗槽内的SiC基板进行超声波清洗；

S6、SiC基板清洗结束后，将SiC基板从超声波清洗槽内取出即可，再将SiC基板放置干燥通风处，静置10min-25min后，再将其放入干燥箱内，设定干燥时间为15min-30min；

S7、干燥工作结束后，将其SiC基板送入质检部门，检查其总体质量，质量检测完毕且确认无误后，再送入包装部门，进行干燥真空包装，包装好后，即可出货。

优选的，所述基础基板上外延生长形成单晶SiC层时的原料气体主要成份是甲基硅甲烷。

优选的，所述基础基板是采用表层部分含有Si的半导体结晶构成的基础基板。