[发明专利]一种智能化SiC半导体基板制备流程

权利要求书

1.一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、选择材料为基础基板，通过在基础基板表层部的Si进行炭化处理而外延生长形成SiC层，将该基础基板在含有氮及氧分子的气体环境下，以970℃—1150℃以上的温度将该表面含有SiC层的基础基板进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，再在该基础基板的一个表面导入高浓度的氮；

S2、将SiC基板放进烘箱内进行烘烤，设定温度值为70℃-100℃，烘烤时间为0.5h-1h；

S3、烘烤结束后，将SiC基板拿出，通过电解清洗去除基板表面的氧化物，减少面铜厚度；

S4、使用具有为SiC基板直径至少三倍的表面研磨工具对其进行去毛边打磨处理，保持其表面的光滑性，打磨时间为15min-30min；

S5、将打磨好后的SiC基板放入超声波清洗槽内，设定清洗的时间为15min-30min，设定结束后，启动超声波发生器，超声波清洗槽内的超声波振板可对清洗槽内的SiC基板进行超声波清洗；

S6、SiC基板清洗结束后，将SiC基板从超声波清洗槽内取出即可，再将SiC基板放置干燥通风处，静置10min-25min后，再将其放入干燥箱内，设定干燥时间为15min-30min；

S7、干燥工作结束后，将其SiC基板送入质检部门，检查其总体质量，质量检测完毕且确认无误后，再送入包装部门，进行干燥真空包装，包装好后，即可出货。

2.根据权利要求1所述的一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：所述基础基板上外延生长形成单晶SiC层时的原料气体主要成份是甲基硅甲烷。

3.根据权利要求1所述的一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：所述基础基板是采用表层部分含有Si的半导体结晶构成的基础基板。

4.根据权利要求1所述的一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：所述热氧化膜的底面向基础基板导入氮的深度位置是5～20nm，在导入高浓度氮的过程中，将基础基板一个表面上形成的Si-N结合体及C-N结合体去除。

5.根据权利要求1所述的一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：所述原料气体中每片晶片的甲基硅甲烷的流量在1.0sccm-30.0sccm。

6.根据权利要求1所述的一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：所述基础基板采用去毛刺机进行打磨抛光处理。