[发明专利]一种低导通平坦度模拟开关有效
申请号: | 201910164082.6 | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN109787603B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 何永强;罗旭程;程剑涛;杜黎明;孙洪军 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨华;王宝筠 |
地址: | 201199 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低导通 平坦 模拟 开关 | ||
本申请提供了一种低导通平坦度模拟开关,包括基本开关模块和电流检测模块。基本开关模块中包括NMOS管N1,用于接收音频信号,并在导通的状态下输出所述音频信号。电流检测模块用于按照预设比例对NMOS管N1的负载电流进行缩放,得到补偿电流,并将补偿电流输入NMOS管N1。补偿电流的注入将提高NMOS管N1的栅极电压,进而降低导通电阻,减小负载电流变大过程中NMOS管N1导通电阻的变大。
技术领域
本申请涉及半导体集成电路技术领域,尤其涉及一种低导通平坦度模拟开关。
背景技术
目前,在手机或者一些音频电路中均具有将音频信号进行隔离和导通的模拟开关,这类模拟开关通常采用PMOS或NMOS实现。对于音频信号,若传输音频信号时模拟开关的导通电阻随音频信号的变化而发生变化,会对输出的音频信号的质量产生一定的影响,因此,导通电阻是模拟开关的一个重要指标。其影响主要体现在THD(Total harmonicdistortion,总谐波失真)方面,由于模拟开关的导通电阻的变化导致在输出信号的频谱中会出现多次谐波,且一般情况下模拟开关的导通电阻变化越大,谐波成分越大,这样可能会导致音频信号的质量无法满足某些HIFI(High-Fidelity,高保真)音质的应用需求。
因此,在输入的音频信号发生变化时,如何使模拟开关的导通电阻保持不变或者变化尽量小是一个具有挑战和需要迫切解决的问题。
发明内容
本申请提供了一种低导通平坦度模拟开关,目的在于在输入的音频信号发生变化时,如何使模拟开关的导通电阻保持不变或者变化尽量小。
为了实现上述目的,本申请提供了以下技术方案:
一种低导通平坦度模拟开关,包括:
基本开关模块和电流检测模块;
所述基本开关模块中包括NMOS管N1,用于接收音频信号,并在导通的状态下输出所述音频信号;
所述电流检测模块用于按照预设比例对所述NMOS管N1的负载电流进行缩放,得到补偿电流,并将所述补偿电流输入所述NMOS管N1。
可选的,所述电流检测模块中包括:
NMOS管N0、运算放大器OP3、PMOS管P5、PMOS管P6、NMOS管N4、NMOS管N5;
其中,所述NMOS管N0的漏极与所述NMOS管N1的漏极相连;所述NMOS管N0的栅极与所述NMOS管N1的栅极相连;所述运算放大器OP3的反向输入端与所述NMOS管N1的源极相连;所述PMOS管P5的漏极与所述NMOS管N1的栅极相连,用于向所述NMOS管N1的栅极输入所述补偿电流;
所述NMOS管N0的源极分别与所述运算放大器OP3的正向输入端和所述NMOS管N4的漏极相连,所述运算放大器OP3的输出端分别与所述NMOS管N4的栅极和所述NMOS管N5的栅极相连,所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N5的源极分别接地;所述NMOS管N5的源极分别与所述PMOS管P6的栅极、所述PMOS管P6的漏极和所述PMOS管P5的栅极相连,所述PMOS管P6的源极与所述PMOS管P5的源极相连,并与电源电压VDD相连。
可选的,所述NMOS管N0和所述NMOS管N1的栅长度相同,所述NMOS管N1和所述NMOS管N0的宽度比为N。
可选的,所述NMOS管N4和所述NMOS管N5的大小相同,所述PMOS管P5和所述PMOS管P6的大小相同。
可选的,所述基本开关模块中还包括:
第一电流生成模块,用于生成与基准信号成正比关系的电流IA,以产生开启所述NMOS管N1的栅极电压。
可选的,所述第一电流生成模块包括:
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