[发明专利]一种低导通平坦度模拟开关

权利要求书

1.一种低导通平坦度模拟开关，其特征在于，包括：

基本开关模块和电流检测模块；

所述基本开关模块中包括NMOS管N1，用于接收音频信号，并在导通的状态下输出所述音频信号；

所述电流检测模块用于按照预设比例对所述NMOS管N1的负载电流进行缩放，得到补偿电流，并将所述补偿电流输入所述NMOS管N1；

其中，所述电流检测模块中包括：

NMOS管N0、运算放大器OP3、PMOS管P5、PMOS管P6、NMOS管N4、NMOS管N5；

其中，所述NMOS管N0的漏极与所述NMOS管N1的漏极相连；所述NMOS管N0的栅极与所述NMOS管N1的栅极相连；所述运算放大器OP3的反向输入端与所述NMOS管N1的源极相连；所述PMOS管P5的漏极与所述NMOS管N1的栅极相连，用于向所述NMOS管N1的栅极输入所述补偿电流；

所述NMOS管N0的源极分别与所述运算放大器OP3的正向输入端和所述NMOS管N4的漏极相连，所述运算放大器OP3的输出端分别与所述NMOS管N4的栅极和所述NMOS管N5的栅极相连，所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N5的源极分别接地；所述NMOS管N5的源极分别与所述PMOS管P6的栅极、所述PMOS管P6的漏极和所述PMOS管P5的栅极相连，所述PMOS管P6的源极与所述PMOS管P5的源极相连，并与电源电压VDD相连。

2.根据权利要求1所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，

所述NMOS管N0和所述NMOS管N1的栅长度相同，所述NMOS管N1和所述NMOS管N0的宽度比为N。

3.根据权利要求1所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，

所述NMOS管N4和所述NMOS管N5的大小相同，所述PMOS管P5和所述PMOS管P 6的大小相同。

4.根据权利要求1所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，所述基本开关模块中还包括：

第一电流生成模块，用于生成与基准信号成正比关系的电流IA，以产生开启所述NMOS管N1的栅极电压。

5.根据权利要求4所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，所述第一电流生成模块包括：

运算放大器OP2、PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N3、电阻R3；

其中，所述PMOS管P3的源极与所述PMOS管P4的源极相连，并与电源电压VDD相连；所述PMOS管P3的栅极与所述PMOS管P4的栅极相连，所述PMOS管P3的栅极与所述PMOS管P4的栅极的公共端分别与所述PMOS管P4的漏极和所述NMOS管N3的漏极相连，所述NMOS管N3的栅极与所述运算放大器OP2的输出端相连，所述NMOS管N3的源极分别与所述运算放大器OP2的反向输入端和所述电阻R3的第一端相连，所述电阻R3的第二端接地。

6.根据权利要求5所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，所述基本开关模块中还包括：

第二电流生成模块，用于生成与输入信号VIN成正比关系的电流IB，所述电流IB用于输入所述NMOS管N1的栅极。

7.根据权利要求6所述的低导通平坦度模拟开关，其特征在于，所述第二电流生成模块包括：

运算放大器OP1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2和电阻R1；

其中，所述PMOS管P2的源极与所述PMOS管P1的源极相连，并与电源电压VDD相连；所述PMOS管P2的栅极与所述PMOS管P1的栅极相连，所述PMOS管P2的栅极与所述PMOS管P1的栅极的公共端分别与所述PMOS管P1的漏极和所述NMOS管N2的漏极相连，所述NMOS管N2的栅极与所述运算放大器OP1的输出端相连，所述NMOS管N2的源极分别与所述运算放大器OP1的反向输入端和所述电阻R1的第一端相连，所述电阻R1的第二端接地。