[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着最近对更小电子器件的需求增长，对半导体管芯的更小和更具创意的封装技术的需求不断增长。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：半导体器件，所述半导体器件包括第一凸块下金属化(UBM)结构，其中，所述第一凸块下金属化结构包括：多个第一导电条，所述第一导电条沿第一方向延伸；和多个第二导电条，所述多个第二导电条与所述多个第一导电条分离并交错，所述第二导电条沿所述第一方向延伸，其中，所述多个第一导电条在所述第一方向上与所述多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二凸块下金属化结构，所述第二凸块下金属化结构包括多个第三导电条，所述多个第三导电条中的每一个配置为接合到所述多个第一导电条中的一个或所述多个第二导电条中的一个。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：集成无源器件(IPD)，所述集成无源器件包括设置在所述集成无源器件的表面上的多个第一接合结构和多个第二接合结构，其中，第一接合结构和第二接合结构具有第一长度，并且其中，所述第一接合结构与所述第二接合结构偏移第一偏移距离；以及衬底，包括设置在所述衬底的表面上的多个第三接合结构和多个第四接合结构，其中，第三接合结构和第四接合结构具有大于所述第一长度的第二长度，其中，所述第三接合结构与所述第四接合结构偏移第二偏移距离，并且其中，所述第三接合结构中的每一个接合到所述多个第一接合结构中的相应一个。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件上形成第一凸块下金属化(UBM)结构的第一图案，所述第一凸块下金属化结构的第一图案包括平行导电条；在衬底上形成第二凸块下金属化结构的第二图案，所述第二凸块下金属化结构的第二图案包括平行导电条；在所述第一凸块下金属化结构上形成焊料材料；将所述第一凸块下金属化结构放置在所述第二凸块下金属化结构上，其中，每个第一凸块下金属化结构的第一端与相应的第二凸块下金属化结构的第一端对准，并且其中，每个第一凸块下金属化结构的第二端与相应的第二凸块下金属化结构的第二端偏移；以及执行回流工艺以使所述焊料材料朝向每个相应的第二凸块下金属化结构的第二端流动。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的接合到集成扇出(InFO)封装件的集成无源器件(IPD)的截面图。

图2A至图2B示出了根据一些实施例的将IPD接合到InFO封装件中的中间步骤的截面图。

图3A至图3C示出了根据一些实施例的凸块下金属化(UBM)结构的图案的平面图。

图4示出了根据一些实施例的将IPD接合到InFO封装件中的中间步骤的平面图。

图5A至图5B示出了根据一些实施例的UBM结构的图案的平面图。

图6A至图6D示出了根据一些实施例的UBM结构的图案的平面图。