[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体器件，所述半导体器件包括第一凸块下金属化(UBM)结构，其中，所述第一凸块下金属化结构包括：

多个第一导电条，所述第一导电条沿第一方向延伸；和

多个第二导电条，所述多个第二导电条与所述多个第一导电条分离并交错，所述第二导电条沿所述第一方向延伸，其中，所述多个第一导电条在所述第一方向上与所述多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及

衬底，包括：第二凸块下金属化结构，所述第二凸块下金属化结构包括多个第三导电条，所述多个第三导电条中的每一个配置为接合到所述多个第一导电条中的一个或所述多个第二导电条中的一个，

其中，所述多个第一导电条具有第一长度，其中，所述多个第二导电条具有所述第一长度，并且其中，所述多个第三导电条具有不同于所述第一长度的第二长度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体器件是集成无源器件(IPD)。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述衬底是集成扇出(InFO)封装件。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块下金属化结构还包括多个第四导电条，其中，所述多个第四导电条在所述第一方向上与所述多个第三导电条偏移第二偏移距离。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一偏移距离在10μm和1000μm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凸块下金属化结构的导电条具有与所述第二凸块下金属化结构的导电条相同的横向尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体器件的端部与所述衬底的第一距离和所述半导体器件的相对的端部与所述衬底的第二距离之间的差小于1000μm。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一长度和所述第二长度之间的差是小于所述第一偏移距离的距离。

9.一种半导体器件，包括：

集成无源器件(IPD)，所述集成无源器件包括设置在所述集成无源器件的表面上的多个第一接合结构和多个第二接合结构，其中，第一接合结构和第二接合结构具有第一长度，并且其中，所述第一接合结构与所述第二接合结构偏移第一偏移距离；以及

衬底，包括设置在所述衬底的表面上的多个第三接合结构和多个第四接合结构，其中，第三接合结构和第四接合结构具有大于所述第一长度的第二长度，其中，所述第三接合结构与所述第四接合结构偏移第二偏移距离，并且其中，所述第三接合结构中的每一个接合到所述多个第一接合结构中的相应一个。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二长度比所述第一长度大10μm至1000μm。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合结构使用焊料材料接合到所述多个第三接合结构。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，每个第一接合结构与至少一个第二接合结构相邻，并且其中，每个第一接合结构在长度方向上与相邻的第二接合结构偏移所述第一偏移距离。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一偏移距离小于所述第一长度和所述第二长度之间的差。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二偏移距离与所述第一偏移距离相同。