[发明专利]一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。

2.根据权利要求1所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，多个所述出光区域均匀分布。

3.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，所述氧化孔的数量为两个以上，两个以上的所述氧化孔围绕所述出光区域均匀且间隔分布。

4.根据权利要求3所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，两个以上的所述氧化孔的大小相同。

5.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，位于相邻两个所述出光区域之间的所述氧化孔大小相同且位置重合。

6.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，所述氧化孔的孔径由所述欧姆接触层向所述有源层的方向逐渐增大。

7.根据权利要求6所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，所述氧化孔的侧壁与所述有源层的夹角范围为70度-90度，包括端点值。

8.根据权利要求1或2所述的高密度VCSEL阵列结构，其特征在于，所述氧化孔内填充有导电金属。

9.一种高密度VCSEL阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层；

在所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设置多个相互独立的出光区域；

在各所述出光区域的周围分别设蚀刻出由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔；

在所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设置电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。