[发明专利]充电系统、电子设备及充电控制方法在审
| 申请号: | 201910152614.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN109861335A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 魏华兵;陈栋 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 充电 充电系统 电子设备 电芯 充电端口 充电控制 电芯串联 温升 通信技术领域 输出端连接 输入端连接 充电电流 充电功率 | ||
1.一种充电系统,包括充电端口,其特征在于,包括半压直充电路和多个电芯;其中,
所述多个电芯串联,所述半压直充电路的输入端连接所述充电端口,所述半压直充电路的输出端连接一电芯。
2.根据权利要求1所述的充电系统,其特征在于,所述半压直充电路包括控制单元、第一电容、第一开关管组和第二开关管组,所述第一开关管组连接所述充电端口,所述第二开关管组接地;
所述控制单元用于控制所述第一开关管组在第一预设时长内导通,使得所述第一电容处于充电状态,以及控制所述第二开关管组在第二预设时长内导通,使得所述第一电容处于放电状态。
3.根据权利要求2所述的充电系统,其特征在于,所述第一开关管组包括第一mos晶体管和第三mos晶体管,所述第二开关管组包括第二mos晶体管和第四mos晶体管;
所述控制单元分别与所述第一mos晶体管、所述第二mos晶体管、所述第三mos晶体管和所述第四mos晶体管的栅极连接,所述第一mos晶体管的漏极与所述充电端口连接,所述第一mos晶体管的源极与所述第二mos晶体管的漏极连接,所述第二mos晶体管的源极与所述第三mos晶体管的漏极连接,所述第三mos晶体管的源极与所述第四mos晶体管的漏极连接,所述第四mos晶体管的源极接地;
所述第一电容的第一极板与所述第二mos晶体管的漏极、所述第二mos晶体管的源极连接,所述第一电容的第二极板与所述第三mos晶体管的源极、所述第四mos晶体管的漏极连接;
所述多个电芯包括第一电芯和第二电芯;
所述第一电容的第一极板与所述第一电芯并联,所述第二电芯接地。
4.根据权利要求3所述的充电系统,其特征在于,所述充电系统还包括第二电容,所述第二电容的第一极板与所述第一电容的第一极板并联,所述第二电容的第二极板接地。
5.根据权利要求3所述的充电系统,其特征在于,所述半压直充电路的输入端的电流值等于所述半压直充电路的输出端的电流值的二分之一。
6.根据权利要求5所述的充电系统,其特征在于,所述半压直充电路的输入端的电流为2A。
7.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的充电系统。
8.一种充电控制方法,其特征在于,应用于权利要求1~6任一项所述的充电系统,其中,所述半压直充电路包括控制单元、第一电容、第一开关管组和第二开关管组;
所述方法包括:
控制所述第一开关管组在第一预设时长内导通,使得所述第一电容处于充电状态;
控制所述第二开关管组在第二预设时长内导通,使得所述第一电容处于放电状态。
9.一种电子设备,其特征在于,包括处理器,存储器,存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求8所述的充电控制方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求8所述的充电控制方法的步骤。
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