[发明专利]一种OLED阵列基板及OLED显示装置

说明书

本发明揭露一种OLED阵列基板及OLED显示装置，OLED阵列基板的子像素的驱动电路采用镜像对称结构，复位信号线和电源信号线沿相同方向延伸，通过共用复位信号线及第一过孔，共用电源信号线及第二过孔，可以省去一半左右的电源信号线、复位信号线走线以及过孔，从而为PPI的提高提供了空间，利于实现高PPI面板设计。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED阵列基板及OLED显示装置。

背景技术

近年来OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术的快速发展，推动曲面和柔性显示产品迅速进入市场，相关领域技术更新也是日新月异。OLED是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的二极管。OLED显示装置由于重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高、功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。

AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置是采用电流驱动OLED器件发光形成画面的显示器件。为了获得较优的画面均匀度，需获得较精准的电流控制能力。因此，一般采用外部补偿和内部补偿两种方法来获得上述效果。内部补偿，即针对每个子像素均采用7T1C(7transistor 1capacitance，即七个薄膜晶体管加一个存储电容的结构)或6T1C(6transistor 1capacitance，即六个薄膜晶体管加一个存储电容的结构)或6T2C(6transistor 2capacitance，即六个薄膜晶体管加两个存储电容的结构)等电路结构对驱动开关进行输出电流调控。

参考图1A-1B，其中图1A为现有的OLED阵列基板的层状结构示意图，图1B为图1A对应的7T1C电路的像素结构示意图。

如图1A所示，所述阵列基板包括基板衬底111，阻挡层(M/B)112，缓冲层(Buffer)113，有源层(Act)114，第一栅绝缘层(GI1)115，第一栅极层(GE1)116，第二栅绝缘层(GI2)117，第二栅极层(GE2)118，第一介电绝缘层(ILD1)119，第二介电绝缘层(ILD2)120，源漏极层(SD)121，平坦层(PLN)122，阳极(ANO)123，OLED124，像素定义层(Pixel Defined Layer，简称PDL)125、光阻层(Photo Spacer，简称PS)126，阴极(Cathode)127、TFE封装层128，偏光层(Polorization，简称POL)129以及外挂触控屏(TP)130。

结合图1A-1B可以看出，所述第一栅极层116包括扫描驱动线(Scan line)以及7T1C电路的驱动薄膜晶体管(Driver TFT)M1的栅极(Gate)，所述驱动薄膜晶体管M1的栅极同时作为7T1C电路的存储电容Cst的下极板；所述第二栅极层118包括复位信号线(VIline)以及所述存储电容Cst的上极板；所述源漏极层121包括电源信号线(VDD line)以及数据信号线(Data line)。其中，所述第二栅极层118上形成的所述复位信号线与所述源漏极层121上形成的所述电源信号线沿不同方向延伸(即交叉)。

现有的OLED阵列基板，由于7T1C、6T1C、6T2C元器件的布局限制了子像素的尺寸进一步缩小，限制了像素密度(Pixels Per Inch，简称PPI)的提升。第一栅极层的驱动薄膜晶体管的栅极同时还要作为存储电容的下极板，不利于更大PPI电路设计。像素结构中，复位信号线与电源信号线交叉，走线(line)和过孔(CNT)数量多、密度大，PPI进一步提升的难度大。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种OLED阵列基板及OLED显示装置，可以便于更大像素密度电路设计，提高画面显示均匀度，还可以减小走线之间的耦合存储电容，并可以形成较大存储电容。