[发明专利]一种OLED阵列基板及OLED显示装置有效
| 申请号: | 201910150785.3 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN109860259B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 王威;黄情 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 阵列 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板,包括多个子像素,每个子像素包含一个驱动电路来控制子像素的发光亮度和时间;其特征在于,
所述的多个子像素的驱动电路排布成多列,其中相邻的两列子像素的驱动电路采用镜像对称结构;
每一所述子像素的驱动电路包括多个薄膜晶体管以及至少一个存储电容;
所述OLED阵列基板还包括:第一金属层,所述第一金属层由扫描驱动线以及所述薄膜晶体管的栅电极构成;第二金属层,所述第二金属层包括数据信号线、复位信号线、所述薄膜晶体管的源漏电极以及所述存储电容的下极板;第三金属层,所述第三金属层包括电源信号线以及所述存储电容的上极板,所述电源信号线和所述存储电容上极板电学连接;所述第二金属层上的所述复位信号线和所述第三金属层上的所述电源信号线沿相同方向延伸;所述第三金属层上的所述电源信号线在水平方向上相互电学连接,从而形成网状结构;所述存储电容区域的所述第二金属层与所述第三金属层之间的厚度小于其它区域的所述第二金属层与所述第三金属层之间的厚度。
2.如权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,至少存在相邻的两列子像素中同一行的两个子像素的驱动电路共用一条复位信号线及第一过孔。
3.如权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,至少存在相邻的两列子像素中同一行的两个子像素的驱动电路共用一条电源信号线及第二过孔。
4.如权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,在相邻的三列子像素中,相邻的两列子像素中同一行的两个子像素的驱动电路共用一条所述复位信号线及第一过孔,相邻的另两列子像素中同一行的两个子像素的驱动电路共用一条所述电源信号线及第二过孔。
5.如权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一金属层为栅金属层,所述第二金属层为第一源漏金属层,所述第三金属层为第二源漏金属层。
6.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括权利要求1-5任意一项所述的OLED阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





