[发明专利]有机发光二极管背板的制作方法在审

专利信息
申请号: 201910143946.6 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109817578A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 唐甲;任章淳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机发光二极管 背板 基板 铟镓锌氧化物 第一金属层 栅极绝缘层 发光层 缓冲层 制程 制作 图案化 光罩 节拍
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,包括:

提供基板;

在所述基板上形成发光层;

在所述基板及所述发光层上形成缓冲层;

在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层;

通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括对所述同一光罩进行光阻灰化处理以去除覆盖所述第一金属层的边缘的所述同一光罩的一部份。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的边缘。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层的所述边缘。

5.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括剥离所述同一光罩,以露出所述第一金属层以及对所述铟镓锌氧化物层的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述缓冲层、所述铟镓锌氧化物层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层以及图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔和发光区域,所述过孔和所述发光区域贯穿所述层间介电绝缘层。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述铟镓锌氧化物层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述铟镓锌氧化物层的所述边缘接触。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述层间介电绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,所述同一光罩为同一半色调掩膜。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,通过所述同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层包括通过所述同一光罩依次湿蚀刻所述第一金属层、干蚀刻所述栅极绝缘层和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910143946.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top