[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具有：

第1配线层，沿第1方向延伸；

第2配线层，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1配线层邻近配置，且沿所述第1方向延伸；

第1半导体层，设置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，且沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸；

第1电荷蓄积层，在所述第2方向上设置在所述第1配线层与所述第1半导体层之间；以及

第2电荷蓄积层，在所述第2方向上设置在所述第2配线层与所述第1半导体层之间；且

所述第2方向上的所述第1配线层与所述第2配线层的第1距离比所述第2方向上的所述第1电荷蓄积层与所述第2电荷蓄积层的第2距离短。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具有：

第3配线层，沿所述第1方向延伸，且设置在所述第1配线层的上方；以及

第4配线层，沿所述第1方向延伸，与所述第3配线层邻近配置，且设置在所述第2配线层的上方；

所述第1电荷蓄积层配置在所述第3配线层与所述第1半导体层之间，

所述第2电荷蓄积层配置在所述第4配线层与所述第1半导体层之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具有：

第1绝缘层，设置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，且与所述第1及第2配线层相接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层的一部分设置在所述第1配线层与所述第1半导体层之间及所述第2配线层与所述第1半导体层之间。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层还与所述第1及第2电荷蓄积层相接。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具有：

第2绝缘层，与所述第1半导体层以及所述第1及第2电荷蓄积层相接；

第3绝缘层，设置在所述第1配线层与所述第1电荷蓄积层之间；以及

第4绝缘层，设置在所述第2配线层与所述第2电荷蓄积层之间。

7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层的相对介电常数低于所述第1及所述第2电荷蓄积层的相对介电常数。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1绝缘层包含SiO2、SiOC、及SiOF中的至少1种。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1半导体层的一端连接于第5配线层，

所述第1半导体层的另一端连接于第6配线层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具有：

第2半导体层，设置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，在所述第1方向上与所述第1半导体层邻近配置，且沿所述第3方向延伸；

第3电荷蓄积层，在所述第2方向上设置在所述第1配线层与所述第2半导体层之间；以及

第4电荷蓄积层，在所述第2方向上设置在所述第2配线层与所述第2半导体层之间。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于还具有：

第5绝缘层，与所述第2半导体层以及所述第3及第4电荷蓄积层相接；

第6绝缘层，设置在所述第1配线层与所述第3电荷蓄积层之间；以及

第7绝缘层，设置在所述第2配线层与所述第4电荷蓄积层之间。