[发明专利]一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺在审
申请号: | 201910139947.3 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN109860164A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 唐勇;张勇;郑汉武;邓孝翔;周令虎 | 申请(专利权)人: | 深圳市穗晶光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518105 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光片 陶瓷 车用 封装 氮化铝陶瓷 封装工艺 拼版 支架 高可靠性 固定板 倒装 车用照明 等距分布 负极引脚 固化成型 光源模组 间距控制 内部设置 阴影问题 正极引脚 多晶片 回流焊 助焊剂 投射 共晶 晶片 量产 贴装 涂覆 重影 焊接 串联 | ||
本发明涉及车用照明技术领域,且公开了一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺,包括内部设置有固定板的氮化铝陶瓷拼版支架,氮化铝陶瓷拼版支架位于固定板两侧的内部分别设置有正极引脚和负极引脚,氮化铝陶瓷拼版支架的顶部通过涂覆的助焊剂焊接有三颗等距分布的倒装LED晶片。该基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺,通过将无机的陶瓷荧光片均匀精准的贴装在三颗串联的倒装LED晶片表面,并固化成型,并通过回流焊共晶工艺将各晶片之间的间距控制在120微米以下,很好的解决了多晶片光源模组的重影和投射阴影问题,使得采用陶瓷荧光片封装的高可靠性车用LED光源具有量产可行性,能够满足市场的高可靠性要求。
技术领域
本发明涉及车用照明技术领域,具体为一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺。
背景技术
LED光源主要作为照明类电子元件广泛应用于各类车用照明中,如摩托车照明,户外手电筒射灯照明、越野SUV汽车照明、以及其他中高端的改装车用照明领域等。
常规的大功率车用LED光源,都是在LED晶片的表面贴装硅胶材质的荧光膜片,黄色的荧光膜片在LED蓝光的激发下产生白光,由于车用LED光源对出光辐射通量和辐射照度有极高的要求,也就是说在单位发光角度内的光通量要求极其严苛,为满足这种高辐射照度的LED光源出光要求,车用光源都是采用高功率大电流驱动的倒装LED晶片,LED光源在大电流驱动下产生大量的热能,这种热量会直接作用于LED晶片表面的荧光粉层,造成硅胶材质的荧光膜片层在高温高热的作用的不断衰减和老化,硅胶层不断开裂,最终造成LED光源的亮度降低及至失效,其次是封装工艺复杂,制造成本高昂,以上种种原因导致此类车用LED光源很难满足大规模车用市场对功率型LED光源的高可靠性要求。
传统的大功率车用光源,对光源的出光角度和辐射照度和辐射光强要求极其苛刻,普通的大功率车用光源为了能达成这一高辐射照度的车用光源效果,通常采用倒装LED晶片,在LED晶片表面贴装混合荧光粉的硅胶材质的荧光膜片,LED蓝光激发荧光膜片产生白光,这种封装工艺的一个缺点就是车用光源都是采用大电流驱动,其点亮过程中产生的热直接作用于硅胶材质的荧光膜片上,荧光粉在高温的作用下很容易衰减,其次硅胶材质的荧光膜片在高温高热条件下长时间使用会逐渐开裂和碳化,因为这些原因导致车用LED光源的使用寿命的光衰特别严重。
发明内容
本发明提供了一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺,具备光衰减较弱、满足市场的高可靠性要求等优点,解决了背景技术提出的问题。
本发明提供如下技术方案:一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺,包括内部设置有固定板的氮化铝陶瓷拼版支架,所述氮化铝陶瓷拼版支架位于固定板两侧的内部分别设置有正极引脚和负极引脚,所述氮化铝陶瓷拼版支架的顶部通过涂覆的助焊剂焊接有三颗等距分布的倒装LED晶片,且三颗倒装LED晶片的顶部均通过涂覆透明的粘接胶共同粘接有陶瓷荧光片,所述氮化铝陶瓷拼版支架的顶部填充有位于陶瓷荧光片外侧的围墙硅胶。
优选的,所述正极引脚与助焊剂接触的内侧面设置有三角形凸起。
优选的,所述三颗倒装LED晶片之间通过助焊剂进行串联,且倒装LED晶片之间的间距在微米以下,所述三颗倒装LED晶片组成一个模组。
优选的,所述正极引脚和负极引脚均通过助焊剂与串联的倒装LED晶片进行电连接。
一种基于陶瓷荧光片封装的车用LED光源及其封装工艺,包含以下工艺流程:
S1、点助焊剂,在一整块由多个光源模组单元构成的氮化铝陶瓷拼版支架上,根据光源模组单个晶片分布位置点涂助焊剂,每个光源模组由三颗倒装LED晶片串联组成,每颗倒装LED晶片之间间距低于120微米;
S2、固晶,采用固晶机和固晶工艺将金锡合金忖底的倒装LED晶片绑定在氮化铝陶瓷拼版支架固晶区域上;
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