[发明专利]EFEM系统以及EFEM系统中的气体供给方法在审
| 申请号： | 201910137423.0 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110277331A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 河合俊宏;小仓源五郎 | 申请（专利权）人： | 昕芙旎雅有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非活性气体 干燥空气 供给通路 气体供给 切换部 供给量 大气开放 置换 削减 | ||
1.一种EFEM系统，通过利用非活性气体置换EFEM的内部空间的气氛，将所述内部空间的氧浓度和湿度维持为目标值以下，其特征在于，
所述EFEM系统包括：
非活性气体供给通路，其能向所述内部空间供给所述非活性气体；
第1切换部，其进行自所述非活性气体供给通路向所述内部空间供给所述非活性气体的状态与不进行该供给的状态的切换；
干燥空气供给通路，其能向所述内部空间供给干燥空气；以及
第2切换部，其进行自所述干燥空气供给通路向所述内部空间供给所述干燥空气的状态与不进行该供给的状态的切换。
2.根据权利要求1所述的EFEM系统，其特征在于，
所述EFEM系统还包括：
湿度计，其用于测量所述内部空间的湿度；以及
控制部，其用于控制所述第1切换部和所述第2切换部，
所述控制部在对大气开放的所述内部空间密闭后，自所述干燥空气供给通路向所述内部空间供给所述干燥空气，并且，
在所述内部空间的湿度下降至预定值时，停止所述干燥空气的供给，自所述非活性气体供给通路供给所述非活性气体。
3.根据权利要求2所述的EFEM系统，其特征在于，
所述控制部在所述内部空间对大气开放的期间内，自所述干燥空气供给通路向所述内部空间供给所述干燥空气。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的EFEM系统，其特征在于，
在所述干燥空气供给通路设有用于进一步对所述干燥空气进行除湿的除湿过滤器。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的EFEM系统，其特征在于，
所述非活性气体供给通路供给氮来作为所述非活性气体，
所述EFEM系统还包括：
分支通路，其自所述干燥空气供给通路分支；
富氮化过滤器，其设于所述分支通路，自所述干燥空气去除氧而提高氮浓度；以及
第3切换部，其进行使所述干燥空气通过所述干燥空气供给通路或者通过所述分支通路的切换。
6.一种EFEM系统中的气体供给方法，所述EFEM系统通过利用非活性气体置换EFEM的内部空间的气氛，将所述内部空间的氧浓度和湿度维持为目标值以下，其特征在于，
所述EFEM系统中的气体供给方法包括：
干燥空气供给工序，在将对大气开放的所述内部空间密闭后，向所述内部空间供给干燥空气；以及
非活性气体供给工序，在所述内部空间的湿度下降至预定值时，停止所述干燥空气的供给，供给所述非活性气体。
7.根据权利要求6所述的EFEM系统中的气体供给方法，其特征在于，
在所述内部空间对大气开放的期间内，向所述内部空间供给所述干燥空气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
