[发明专利]一种功率放大器杂波抑制电路

说明书

本发明涉及一种功率放大器杂波抑制电路，包括：外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器；所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器通过刻蚀形成在功率放大器输出匹配传输线上。所述外侧半波长槽线谐振器为两端不闭合的形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合、另一端不闭合的形状。本发明的优点有：带通功率放大器的两侧杂波都起到了抑制作用，且不会在通带两侧引入额外的杂波；电路尺寸小，不占用额外的芯片面积；采用此杂波抑制电路结构的功率放大器具有高效率、高线性度、小尺寸的优点。

技术领域

本发明属于功率放大器设计技术领域，具体涉及一种功率放大器杂波抑制电路。

背景技术

功率放大器线性度要求高，通常提升线性度的方法有自适应偏置技术、功率回退技术、负反馈技术以及谐波抑制技术等，现有自适应偏置技术电路结构复杂且理论基本成熟；功率回退技术、负反馈技术会损失功率性能；通常的谐波抑制技术会在片内或片外引入LC以起到抑制带外谐波的作用，但这种结构调试时间长且不精确，只能抑制高频处杂波及谐波，低频处杂波很难抑制。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种功率放大器杂波抑制电路，解决现有技术中低频杂波难抑制、提升功率放大器线性度的问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种功率放大器杂波抑制电路，包括：

外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器；

所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器通过刻蚀形成在功率放大器输出匹配传输线上。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器为两端不闭合的形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合、另一端不闭合的形状。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器为下部开口的矩形形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合的反6形状或正6形状。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器的长度为2.1mm，内侧单端闭合槽线谐振器的长度为3.8mm。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器的长度可变。

优选的，所述内侧单端闭合槽线谐振器具有闭合端和不闭合端。

优选的，所述内侧单端闭合槽线谐振器的不闭合端的长度可变。

优选的，所述刻蚀的方法为干法刻蚀或湿法腐蚀。

优选的，所述干法刻蚀具体为金属刻蚀。

优选的，所述刻蚀为有图形刻蚀。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器的线条形状为直线、弧线、或波浪线。

优选的，所述外侧半波长槽线谐振器为一个或多个，所述内侧单端闭合槽线谐振器的数量为一个或多个。

由于采用了上述技术方案，本发明的优点有：

1、带通功率放大器的两侧杂波都起到了抑制作用，且不会在通带两侧引入额外的杂波；

2、电路尺寸小，不占用额外的芯片面积；

3、采用此杂波抑制电路结构的功率放大器具有高效率、高线性度、小尺寸的优点。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是一种功率放大器杂波抑制电路结构示意图及其在功率放大器的位置分布图；