[发明专利]一种功率放大器杂波抑制电路在审
| 申请号： | 201910134189.6 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109981059A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 万晶;梁晓新;李杰 | 申请（专利权）人： | 中科院微电子研究所昆山分所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 槽线谐振器 功率放大器 杂波抑制 半波长 闭合槽 谐振器 单端 电路 不闭合 杂波 带通功率放大器 功率放大器输出 匹配传输线 闭合 电路结构 高线性度 高效率 刻蚀 通带 芯片 占用 引入 | ||
1.一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，包括：
外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器；
所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器通过刻蚀形成在功率放大器输出匹配传输线上。
2.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述外侧半波长槽线谐振器为两端不闭合的形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合、另一端不闭合的形状。
3.根据权利要求2所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述外侧半波长槽线谐振器为下部开口的矩形形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合、另一端不闭合的反6形状或正6形状。
4.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述外侧半波长槽线谐振器的长度可变。
5.根据权利要求2所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述内侧单端闭合槽线谐振器的不闭合端的长度可变。
6.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述刻蚀的方法为干法刻蚀或湿法腐蚀。
7.根据权利要求6所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述干法刻蚀具体为金属刻蚀。
8.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述刻蚀为有图形刻蚀。
9.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器的线条形状为直线、弧线、或波浪线。
10.根据权利要求1所述的一种功率放大器杂波抑制电路，其特征在于，
所述外侧半波长槽线谐振器为一个或多个，所述内侧单端闭合槽线谐振器的数量为一个或多个。
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