[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；

掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；

所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，而所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠；

第一隔离层，所述第一隔离层形成在所述掩埋绝缘层上的所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及

导电层，所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上以在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层具有第二导电类型，而所述第二半导体层具有第一导电类型。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

栅极结构，所述栅极结构形成为跨越所述第一半导体层和所述第二半导体层，使得所述导电层在所述第一半导体层和所述第二半导体层上位于所述栅极结构的一侧。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第一半导体层包括分别设置在所述栅极结构的相对侧的第一部分和第二部分，

所述第二半导体层包括分别设置在所述栅极结构的相对侧的第一部分和第二部分，

所述第一半导体层的第二部分和所述第二半导体层的第二部分通过所述导电层彼此电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极结构在所述第一半导体层上形成第一晶体管，并且在所述第二半导体层上形成第二晶体管，

所述第一半导体层的所述第二部分是所述第一晶体管的漏极，并且

所述第二半导体层的所述第二部分是所述第二晶体管的源极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层包括硅化物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二隔离层，所述第二隔离层形成在所述第一阱区和所述第二阱区中以围绕所述第一半导体层和所述第二半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一隔离层的最下表面距所述衬底的底表面的高度大于所述第二隔离层的最下表面距所述衬底的所述底表面的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，包括所述第一阱区和所述第二阱区的所述衬底、所述掩埋绝缘层以及所述第一半导体层和所述第二半导体层一起形成绝缘体上硅衬底。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

导电接触，所述导电接触隔着所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上方，并且通过所述导电层接触并电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；

掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；

所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠，所述第一半导体层和所述第二半导体层沿第一方向依次彼此相邻地设置；

栅极结构，所述栅极结构沿所述第一方向在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸；

第一隔离层，所述第一隔离层包括形成在所述栅极结构的第一侧的至少一部分，所述第一隔离层将所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此分隔；以及

导电层，所述导电层在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸，并形成在所述栅极结构的与所述第一侧相对的第二侧。