[发明专利]半导体单元

说明书

本发明涉及一种半导体单元，具备半导体模块、电抗器及冷却器，公开提高对于半导体模块的冷却性能的构造。本说明书公开的半导体单元(2)具备多个半导体模块(4)、多个第一冷却器(3)、电抗器(10)、第二冷却器(8)及制冷剂排出管(7)。多个第一冷却器(3)平行地配置，在相邻的第一冷却器(3)之间夹设有半导体模块(4)。制冷剂排出管(7)设置于半导体模块(4)与第一冷却器(3)的层叠体(12)的一端的第一冷却器(3a)。制冷剂排出管(7)沿着半导体模块(4)与第一冷却器(3)的层叠方向延伸。第二冷却器(8)连接于制冷剂排出管(7)。电抗器(10)由层叠体的端部的第一冷却器(3a)和第二冷却器(8)夹住。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体模块、电抗器及冷却器一体化而成的半导体单元。

背景技术

在日本特开2014-99488号公报(专利文献1)中公开了一种半导体模块、电抗器及冷却器一体化的半导体单元。多个第一冷却器平行地配置。在相邻的第一冷却器之间夹设有半导体模块。第一冷却器的内部成为了制冷剂的流路。相邻的第一冷却器由连结管连接。第二冷却器位于与第一冷却器和半导体模块的层叠体的一端的第一冷却器对向的位置。由层叠体的端部的第一冷却器和第二冷却器夹住电抗器。在电抗器的两侧，第一冷却器与第二冷却器由连结管连接。在第二冷却器设置有制冷剂供给口和制冷剂排出口。向第二冷却器供给的制冷剂首先冷却电抗器之后向第一冷却器流动，冷却半导体模块。

发明内容

在专利文献1的半导体单元中，先冷却电抗器，接着冷却半导体模块。因而，难以说对于半导体模块的冷却性能是充分的。本说明书涉及具备半导体模块、电抗器及冷却器的半导体单元，公开一种提高对于半导体模块的冷却性能的构造。

本说明书公开的半导体单元具备多个半导体模块、多个第一冷却器、电抗器、第二冷却器及制冷剂排出管。多个第一冷却器平行地配置，在相邻的第一冷却器之间夹设有半导体模块。制冷剂排出管设置于半导体模块与第一冷却器的层叠体的一端的第一冷却器。制冷剂排出管沿着半导体模块与第一冷却器的层叠方向延伸。第二冷却器连接于制冷剂排出管。电抗器由层叠体的端部的第一冷却器和第二冷却器夹住。在本说明书公开的冷却器中，由从第一冷却器排出后的制冷剂冷却电抗器。即，半导体模块比电抗器先被冷却。因而，与专利文献1的半导体单元相比，对于半导体模块的冷却性能提高。

本说明书公开的半导体单元可以还具备其他的电抗器和第三冷却器。第三冷却器连接于第二冷却器。其他的电抗器由第二冷却器和第三冷却器夹住。该半导体单元能够冷却多个电抗器。

在第二冷却器位于端部的情况下，电压转换器也可以与该第二冷却器的与电抗器相反一侧相接。或者，在第三冷却器位于端部的情况下，电压转换器也可以与第三冷却器的与电抗器相反一侧相接。这样的半导体单元能够除了半导体模块和电抗器之外也冷却电压转换器。

第二冷却器可以由与第一冷却器不同的部件制成。与第二冷却器与第一冷却器一体地制成的情况相比，半导体单元的制造变得简单。

本说明书公开的技术的详情和进一步的改良将会在以下的“具体实施方式”中说明。

附图说明

图1是第一实施例的半导体单元的立体图。

图2是第一实施例的半导体单元的俯视图。

图3是第二实施例的半导体单元的俯视图。

图4是第三实施例的半导体单元的俯视图。

具体实施方式

(第一实施例)参照图1和图2来说明第一实施例的半导体单元2。图1示出半导体单元2的立体图。图2是半导体单元2的俯视图。在图2中，半导体单元2收容于壳体20。