[发明专利]显示基板的制作方法、显示基板及显示面板

说明书

本发明提供一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括：提供初始基板；形成半导体初始图形，其中，所述半导体初始图形包括形成在所述初始基板上的非晶硅图形和形成在所述非晶硅图形背离所述初始基板的表面上的金属图形；利用电磁感应的方式对所述金属图形加热，以使得所述非晶硅图形再结晶形成为多晶硅图形。本发明还提供一种利用该方法制得的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板，所述制作方法可以避免显示基板在退火工艺中受热变形。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种显示基板的制作方法、利用该方法制得的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较好的开关性能而得到了广泛的应用。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层由低温多晶硅材料制成。为了获得低温多晶硅材料，需要在衬底基板上形成一层非晶硅层，然后利用固相晶化法对非晶硅层进行退火，退火温度在500℃～1000℃左右。

由于执行固相晶化法的过程中，需要利用高温炉对形成有非晶硅层的衬底基板进行持续加热，不仅能耗较高，还会导致玻璃等材质制作的衬底基板受热变形。

因此，如何避免在退火工艺中所述显示基板受热变形成为亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示基板的制作方法，所述制作方法可以避免显示基板在退火工艺中受热变形。

为解决上述技术问题，作为本发明第一个方面，提供一种显示基板的制作方法，其中，所述制作方法包括：

提供初始基板；

形成半导体初始图形，其中，所述半导体初始图形包括形成在所述初始基板上的非晶硅图形和形成在所述非晶硅图形背离所述初始基板的表面上的金属图形，所述金属图形的形状与所述非晶硅图形的形状一致；

利用电磁感应的方式对所述金属图形加热，以使得所述非晶硅图形再结晶形成为多晶硅图形。

优选地，在利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤中，加热时间为20s～180s。

优选地，在利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤中，用于产生电磁感应的射频功率为2000W～7000W。

优选地，所述金属图形的材料包括钨。

优选地，所述形成半导体初始图形的步骤包括：

形成非晶硅材料层；

形成金属材料层；

对所述金属材料层进行图形化，以形成所述金属图形；

以所述金属图形为掩膜刻蚀所述非晶硅材料层，以形成所述非晶硅图形。

优选地，所述形成半导体初始图形的步骤包括在形成非晶硅材料层的步骤和形成金属材料层的步骤之间进行的以下步骤：

对所述非晶硅材料层进行脱氢。

优选地，所述对所述非晶硅材料层进行脱氢的步骤中：

执行脱氢工艺的温度为350℃～450℃。

优选地，所述制作方法还包括利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤之后执行的：

去除所述金属图形。

作为本发明第二个方面，提供一种显示基板，其中，所述显示基板采用本发明所提供的制作方法制得，所述显示基板包括多个薄膜晶体管，所述多晶硅图形为所述薄膜晶体管的有源层。

作为本发明第三个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其中，所述显示基板为本发明所提供的显示基板。

附图说明