[发明专利]显示基板的制作方法、显示基板及显示面板在审
| 申请号： | 201910122256.2 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109712933A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 曹可;杨成绍;桂学海;刘融 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示基板 非晶硅图形 初始基板 金属图形 显示面板 制作 半导体 多晶硅图形 电磁感应 受热变形 退火工艺 再结晶 加热 背离 | ||
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供初始基板；
形成半导体初始图形，其中，所述半导体初始图形包括形成在所述初始基板上的非晶硅图形和形成在所述非晶硅图形背离所述初始基板的表面上的金属图形，所述金属图形的形状与所述非晶硅图形的形状一致；
利用电磁感应的方式对所述金属图形加热，以使得所述非晶硅图形再结晶形成为多晶硅图形。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤中，加热时间为20s～180s。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤中，用于产生电磁感应的射频功率为2000W～7000W。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述金属图形的材料包括钨。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述形成半导体初始图形的步骤包括：
形成非晶硅材料层；
形成金属材料层；
对所述金属材料层进行图形化，以形成所述金属图形；
以所述金属图形为掩膜刻蚀所述非晶硅材料层，以形成所述非晶硅图形。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述形成半导体初始图形的步骤包括在形成非晶硅材料层的步骤和形成金属材料层的步骤之间进行的以下步骤：
对所述非晶硅材料层进行脱氢。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括利用电磁感应的方式对所述金属图形加热的步骤之后执行的：
去除所述金属图形。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在去除所述金属图形的步骤之后进行的：
形成栅绝缘层；
形成包括栅极的图形；
形成层间绝缘层；
形成包括源漏电极层的图形。
9.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板采用权利要求1至8中任意一项所述的制作方法制得，所述显示基板包括多个薄膜晶体管，所述多晶硅图形为所述薄膜晶体管的有源层。
10.一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其特征在于，所述显示基板为权利要求9所述的显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
