[发明专利]半导体装置及形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将多个内连结构配置在载体衬底上以形成被重构的晶片，其中所述多个内连结构的每一者包括：

衬底；以及

嵌置在介电层中的导电层，所述介电层配置在所述衬底与所述载体衬底之间；

将所述多个内连结构包封在第一包封体中；

将多个半导体管芯中的每一者的至少一个半导体组件电耦合到所述多个内连结构中的一者或多者；

将所述多个半导体管芯及将所述第一包封体的一些部分封闭在第二包封体中以形成晶片级封装；

从所述多个内连结构移除所述载体衬底；以及

将多个外部触点结合到所述多个内连结构的第一侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述多个内连结构中的每一者的第二侧上暴露出多个第一接触区域，所述多个内连结构的所述第二侧与所述多个内连结构的所述第一侧相对。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将多个半导体管芯中的每一者的所述至少一个半导体组件电耦合到所述多个内连结构中的一者或多者包括：

将所述多个半导体管芯中的所述至少一个半导体管芯放置在所述多个内连结构中的相邻的一对内连结构上。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，暴露出所述多个第一接触区域包括执行化学机械抛光工艺。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述多个半导体管芯中的每一者的所述至少一个半导体组件电耦合到所述多个内连结构中的一者或多者包括：

将所述多个半导体管芯中的每一者放置在所述多个内连结构中的相应者上。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述多个半导体管芯中的每一者的所述至少一个半导体组件电耦合到所述多个内连结构中的一者或多者包括：

将储存立方体放置在所述多个内连结构中的一者上。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述多个半导体管芯封闭在所述第二包封体中包括：

将所述储存立方体及用于控制所述储存立方体的相邻的处理器封闭在所述第二包封体中，使得所述第二包封体接触所述储存立方体的侧壁及所述处理器的侧壁并位于所述储存立方体的所述侧壁与所述处理器的所述侧壁之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个内连结构包封在所述第一包封体中包括：

形成与相邻的内连结构的多个侧壁接触且位于所述相邻的内连结构的所述多个侧壁之间的第一包封体，以及在晶片级内连结构的侧壁与所述载体衬底的周边之间形成所述第一包封体。

9.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在载体衬底上配置多个内连结构，其中所述多个内连结构的每一者包括衬底以及嵌置在第一介电层中的第一导电层，所述第一介电层配置在所述衬底与所述载体衬底之间；

将所述内连结构嵌置在第一包封体中，以形成被重构的晶片；

在所述内连结构上形成一系列重布线层，其中所述一系列多个重布线层中的每一者包括嵌置在所述第二介电层中的多个第二导电层；

将多个半导体管芯结合到所述一系列重布线层，其中所述多个半导体管芯中的至少一者经由所述一系列重布线层电性连接到所述内连结构；以及

将所述多个半导体管芯及将所述第一包封体的与所述载体衬底相对的表面的一些部分封闭在第二包封体中，以形成晶片级封装。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，结合所述多个半导体管芯包括直接金属对金属结合。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，结合所述多个半导体管芯包括焊料结合。