[发明专利]集成电路以及形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体晶片之上形成第一层，所述第一层具有第一部分及第二部分；

通过使辐射穿过第一掩模版以将第一像场投射在所述第一层的所述第一部分之上，对所述第一层的所述第一部分进行图案化，其中所述第一层的所述第一部分对应于所述第一像场；

通过使辐射穿过第二掩模版以将第二像场投射在所述第一层的所述第二部分之上，对所述第一层的所述第二部分进行图案化，其中所述第一层的所述第二部分对应于所述第二像场；

在所述第一层之上形成第二层；以及

通过使辐射穿过第三掩模版以将第三像场投射在所述第二层之上，对所述第二层进行图案化，其中所述第三像场覆盖所述第一层的所述第一部分的大部分及所述第二部分的大部分，

其中所述第一像场包括第一最小特征大小，所述第二像场包括第二最小特征大小，且所述第三像场包括第三最小特征大小，且

其中所述第三最小特征大小大于所述第一最小特征大小及所述第二最小特征大小。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化的所述第二层的区沿着所述第一层从所述第一层的所述第一部分连续地延伸到所述第一层的所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化的所述第二层将设置在所述第一层的所述第一部分的上表面之下的第一导通孔电耦合到设置在所述第一层的所述第二部分的上表面之下的第二导通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体晶片之上形成金属间介电(IMD)层，其中所述第一层形成在所述金属间介电层之上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述金属间介电层上形成第一钝化层，其中所述第一钝化层设置在所述第一层与所述金属间介电层之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一层是形成在所述第一钝化层上的第二钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二层形成在所述第二钝化层上，且其中对所述第二层进行图案化形成图案化的第二层，所述图案化的第二层将设置在所述第一层的所述第一部分之下的第一导通孔电耦合到设置在所述第一层的所述第二部分之下的第二导通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述第一钝化层包括：

在所述金属间介电层的上表面上形成介电层，所述介电层具有分别与所述第一层的所述第一部分及所述第二部分大致垂直对准的第三部分及第四部分；

通过使辐射穿过第四掩模版对所述介电层的所述第三部分进行图案化，以在所述介电层的所述第三部分中形成第一通孔开口，其中所述介电层的所述第三部分对应于所述第四掩模版的像场；且

通过使辐射穿过第五掩模版对所述介电层的所述第四部分进行图案化，以在所述介电层的所述第四部分中形成第二通孔开口，其中所述介电层的所述第四部分对应于所述第五掩模版的像场。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一导通孔及所述第二导通孔包括：

在所述第一钝化层之上形成填充所述第一通孔开口及所述第二通孔开口二者的导电层，所述导电层具有分别与所述介电层的所述第三部分及所述第四部分大致垂直对准的第五部分及第六部分；

通过使辐射穿过第六掩模版对所述导电层的所述第五部分进行图案化，以形成所述第一导通孔，其中所述导电层的所述第五部分对应于所述第六掩模版的像场；且

通过使辐射穿过第七掩模版对所述导电层的所述第六部分进行图案化，以形成所述第二导通孔，其中所述导电层的所述第六部分对应于所述第七掩模版的像场。