[发明专利]TFT阵列基板的缺陷检测方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供TFT阵列基板，获取所述TFT阵列基板的原始图像；

步骤S2、对所述原始图像进行去噪处理产生去噪图像；

步骤S3、对所述去噪图像进行规则结构纹理背景去除处理产生待判定图像；

步骤S4、对所述待判定图像进行缺陷提取获取TFT阵列基板的缺陷的描述参数；

步骤S5、利用TFT阵列基板的缺陷的描述参数及预设的参考描述参数判断TFT阵列基板的缺陷的类型；

所述TFT阵列基板的原始图像包括呈阵列式排布的多个原始像素；

所述步骤S2具体为：利用全变分模型对原始图像进行处理从而形成去噪图像，所述去噪图像包括分别与多个原始像素对应且呈阵列式排布的多个去噪像素；

所述步骤S3包括：

步骤S31、获取去噪图像中的最小重复单元；

步骤S32、依据最小重复单元将去噪图像划分为阵列排布的多个待处理区块，相邻的待处理区块相连接，多个待处理区块的尺寸相同，多个待处理区块包括与一最小重复单元重合的参考区块及除了参考区块外的待计算区块；

步骤S33、利用预设的互功率谱计算公式分别计算多个待计算区块与参考区块之间的对应的互功率谱，对多个互功率谱进行傅里叶逆变换对应产生多个互相关曲面函数，取每个互相关曲面函数中的峰值对应的横坐标及纵坐标分别作为该互相关曲面函数对应的待计算区块相对于参考区块的水平位移量及竖直位移量，依据每一待计算区块相对于参考区块的水平位移量及竖直位移量获取每一待计算区块中的各去噪像素与参考区块中各去噪像素之间的对应关系，将去噪图像的多个待计算模块中多个去噪像素的像素值分别减去参考区块中对应的去噪像素的像素值并将参考区块中多个去噪像素的像素值取0而形成待判定图像，所述待判定图像包括阵列排布的多个待判定像素。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤S1中，利用自动光学检测机获取TFT阵列基板的原始图像。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述去噪图像的多个去噪像素的像素值为其中，λ为预设的参数，S_i为多个去噪像素中第i个去噪像素的像素值，G_i为多个原始像素中与第i个去噪像素对应的第i个原始像素的像素值，为对去噪图像的多个去噪像素的像素值进行一阶差分运算后第i个去噪像素对应的差分运算值，表示为最小值时对应的去噪图像的多个去噪像素的像素值，i为正整数。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述预设的互功率谱计算公式为：

其中，P_k(u，v)为互功率谱中第u行第v列的值，F₀(u，v)为对参考区块进行傅里叶变换后产生的矩阵中第u行第v列的值，F_k(u，v)为对多个待计算区块中第k个待计算区块进行傅里叶变换后产生的矩阵中第u行第v列的值，为F_k(u，v)的共轭复数，u、v、k均为正整数。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：

步骤S41、利用预设的二值化处理公式对所述待判定图像的多个待判定像素的像素值进行二值化处理；

步骤S42、计算所述待判定图像的质心在待判定图像中的行坐标及列坐标，将待判定图像中进行二值化处理后像素值为1的待判定像素记为缺陷像素；

步骤S43、获取每个缺陷像素与质心的距离，形成缺陷像素与质心的尺寸和缺陷像素数量的相应关系的直方图作为TFT阵列基板的缺陷的描述参数。

6.如权利要求5所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述预设的二值化处理公式为：

其中，I(x，y)为待判定图像中第x行第y列的处理像素进行二值化处理前的像素值，I′(x，y)为待判定图像中第x行y列的待判定像素进行二值化处理后的像素值，T为预设的阈值，x、y均为正整数。

7.如权利要求5所述的TFT阵列基板的缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤S5具体为：提供预设的多个参考直方图作为预设的多个参考描述参数，每一参考直方图与一缺陷类型对应，计算缺陷像素与质心的距离和缺陷像素数量的相应关系的直方图同多个参考直方图之间的多个巴氏距离，选取多个巴氏距离中的最大值对应的参考直方图所对应的缺陷类型作为TFT阵列基板的缺陷类型。