[发明专利]骨科植入式支架材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

使用前驱体气源对基体材料进行真空镀膜处理，以在所述基体材料上形成薄膜层，所述前驱体气源选自苯乙烯、丙烯酸酯类及派瑞林单体中的至少一种，所述基体材料为多孔结构或纤维结构；及

对所述薄膜层进行表面改性处理，以得到所述骨科植入式支架材料，其中，所述对所述薄膜层进行表面改性处理的步骤包括：在氧化性气氛或还原性气氛中对所述薄膜层进行等离子体处理；或者，所述对所述薄膜层进行表面改性处理的步骤包括：将形成有所述薄膜层的所述基体材料浸泡于改性试剂中，然后用紫外光照射，接着将所述形成有所述薄膜层的所述基体材料取出干燥，其中，所述改性试剂中含有磷脂类化合物和光引发剂。

2.根据权利要求1所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述在氧化性气氛中对所述薄膜层进行等离子体处理的步骤之后，还包括将形成有所述薄膜层的所述基体材料浸泡在改性溶液中，接着将所述形成有所述薄膜层的所述基体材料取出干燥的步骤，其中，所述改性溶液含有硅烷偶联剂。

3.根据权利要求2所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述将形成有所述薄膜层的所述基体材料浸泡在改性溶液中的步骤中，浸泡时间为10分钟~30分钟。

4.根据权利要求1所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述氧化性气氛为含有氧气和保护性气体的气氛；所述还原性气氛为含有氨气、氢气和保护性气体的气氛；

及/或，所述在氧化性气氛中对所述薄膜层进行等离子体处理的步骤中，所述等离子体处理的功率为100W~500W，处理时间为1分钟~5分钟；所述在还原性气氛中对所述薄膜层进行等离子体处理的步骤中，所述等离子体处理的功率为100W~500W，处理时间为1分钟~10分钟。

5.根据权利要求1所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述磷脂类化合物选自卵磷脂、磷酸甘油酯及鞘磷脂中的一种；

及/或，所述光引发剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化磷、异丙基硫杂蒽酮及二苯甲酮中的一种；

及/或，所述紫外光照射的波长为190纳米~400纳米，功率密度为50 mW/cm²~200 mW/cm²，照射时间10分钟~60分钟；

及/或，所述基体材料选自纤维素、壳聚糖、海绵及聚氨酯泡沫中的一种。

6.根据权利要求1~5任一项所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述使用前驱体气源对基体材料进行真空镀膜处理的步骤之前，还包括在所述基体材料上附着引发剂以对所述基体材料进行预处理的步骤。

7.根据权利要求6所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述在所述基体材料上附着引发剂的步骤包括：将所述基体材料浸泡在含有所述引发剂的溶液中，然后干燥；其中，所述含有所述引发剂的溶液中的所述引发剂的质量百分含量为0.1%~20%；

及/或，所述引发剂选自偶氮二异丁氰及过氧化苯甲酰中的一种。

8.根据权利要求1~5任一项所述的骨科植入式支架材料的制备方法，其特征在于，所述前驱体气源包括苯乙烯、丙烯酸酯类及派瑞林单体；

及/或，所述丙烯酸酯类选自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯及丙烯酸乙酯中的一种；

及/或，所述派瑞林单体选自派瑞林C、派瑞林N、派瑞林D及派瑞林F中的至少一种；

及/或，所述真空镀膜处理时的温度为45℃~100℃；

及/或，所述真空镀膜处理时的腔体压力为1Pa~50 Pa；

及/或，所述真空镀膜处理时的真空度低于100Pa；

及/或，所述薄膜层的厚度为1微米~100微米。

9.权利要求1~8任一项所述骨科植入式支架材料的制备方法制备得到的骨科植入式支架材料。

10.权利要求9所述的骨科植入式支架材料在制备医疗器械中的应用。