[发明专利]一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法

说明书

一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：S1：在基板上依次堆叠成形有走线层、薄膜晶体管中的平坦化层和金属层，所述走线层包括非显示区域；S2：去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分，使与该部分对应的所述平坦化层暴露；S3：在所述平坦化层的暴露区域形成开口槽以使对应于所述非显示区域内的所述走线层暴露。由于挖设开口槽之前已去除与开口槽区域对应的金属层，也就不会出现在阶梯处因刻蚀残留而引起的走线层的短路问题，仅仅通过工艺的改进即可提高产品的良率，提高合格率的同时又降低了研发成本。

技术领域

本发明涉及显示器制造技术领域，具体涉及一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法。

背景技术

近年来，薄膜晶体管显示器因其体积小、功耗低、无辐射等优点被广泛应用于电视、手机、笔记本电脑以及手持终端设备等领域。薄膜晶体管(Thin film Transistor，TFT)基板，即阵列基板，作为显示屏的核心部件，其性能显得尤为重要。然而，现有技术中的阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法仍有待改进。

发明内容

因此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中阵列基板的产线合格率受工艺限制而受影响的问题。从而提供一种能够提高产线合格率的一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的其制备方法。

为此，本发明提供一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：

S1：在基板上依次堆叠成形有走线层、薄膜晶体管中的平坦化层和金属层，所述走线层包括非显示区域；

S2：去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分，使与该部分对应的所述平坦化层暴露；

S3：在所述平坦化层的暴露区域形成开口槽以使对应于所述非显示区域内的所述走线层暴露。

进一步地，步骤S3之后还包括：将所述走线层中位于所述开口槽内的金属导线与邦定区或封装区电连接。

进一步地，步骤S2包括：对所述金属层图案化处理形成所述电极层，并通过所述图案化处理去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分。

进一步地，步骤S3中形成所述开口槽的步骤包括：刻蚀所述平坦化层的所述暴露区域形成所述开口槽。

进一步地，步骤S1中还包括制备所述薄膜晶体管的步骤：

S11：在衬底基板上依次制备薄膜晶体管中的有源层、第一绝缘层、栅极层和第二绝缘层；

S12:刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成暴露有源层的通孔，在所述第二绝缘层上形成漏源极层；

S13:在源漏极层上依次堆叠形成所述平坦化层和所述电极层，所述电极层穿过所述通孔与漏极电连接。

进一步地，所述走线层与所述薄膜晶体管中的漏源极层同层制备。

进一步地，同层制备所述走线层与所述漏源极层的步骤包括：对预先形成于所述第二绝缘层上的金属层图案化处理获得所述漏源极层和所述走线层。

进一步地，步骤S11中在所述基板衬底上形成有源层的步骤包括：在衬底基板上形成有缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅层，图案化处理所述多晶硅层形成有所述有源层。

一种有机发光显示装置的制备方法，其包括如上述任意一项所述的阵列基板的制备方法，其中所述电极层构成为阳极层，在所述阳极层上制备有机发光层。

进一步地，制备有机发光层的步骤包括：在所述阳极层上形成有机材料层和阴极层。

本发明的技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：