[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一存储器阵列，包括多个存储单元，该些存储单元包含：

一第一存储单元，具有一第一电阻；以及

一第二存储单元，具有一第二电阻；

其中该第一电阻和该第二电阻都落在10⁵Ω～10⁹Ω的范围中，且该第二电阻大于该第一电阻。

2.如权利要求1项所述的半导体结构，其中该些存储单元分别包括：

一下电极；

选择性的一电阻层，设置在该下电极上；

一上电极，设置在选择性的该电阻层上、或设置在该下电极上；以及

一控制装置，电性耦接至该下电极。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中选择性的该电阻层的材料包括选自由氧化物、氮化物、氮氧化物、电阻性多晶硅、和硅化物所组成的群组中的至少一者。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储单元的一电阻层的一密度大于该第一存储单元的一电阻层的一密度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储单元的一电阻层中的多个子电阻层的总数量大于该第一存储单元的一电阻层中的一或多个子电阻层的总数量。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储单元的一电阻层的一厚度大于该第一存储单元的一电阻层的一厚度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储单元的一电阻层的一直径小于该第一存储单元的一电阻层的一直径。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二存储单元的该电阻层的该直径为该第一存储单元的该电阻层的该直径的至少小三倍。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该些存储单元更包含：

一第三存储单元，具有一第三电阻；以及

一第四存储单元，具有一第四电阻；

其中该第一电阻、该第二电阻、该第三电阻、和该第四电阻都落在10⁵Ω～10⁹Ω的范围中，该第二电阻大于该第一电阻，该第三电阻大于该第二电阻，且该第四电阻大于该第三电阻。

10.一种半导体结构的形成方法，包括：

形成由多个存储单元构成的一阵列，其中该些存储单元包含一第一存储单元和一第二存储单元，且形成该阵列包括：

提供一初始结构，其中该初始结构包括用于该第一存储单元的一下电极和用于该第二存储单元的一下电极；

选择性地在用于该第一存储单元的该下电极上形成一电阻层，使得该第一存储单元的一第一电阻落在10⁵Ω～10⁹Ω的范围中；以及

在用于该第二存储单元的该下电极上形成一电阻层，使得该第二存储单元的一第二电阻落在10⁵Ω～10⁹Ω的范围中并大于该第一电阻。