[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

存储器阵列，包括可逆且非易失性可变电阻组件；

写入组件，基于根据写入命令的类型而选择的写入条件来将数据写入到所述存储器阵列；

多个存储区域，包括耐久性存储区域、保持性存储区域与高速读取存储区域；

刷新组件，包括检测组件，所述检测组件检测存储于所述多个存储区域中每一个的数据无效的指示，且响应于检测结果而执行刷新；

存储组件，存储指定所述写入条件的算法；以及

其中所述写入组件选择与所述写入命令对应的所述算法，对应于多种写入条件的所述多个存储区域设置于所述存储器阵列中，以及所述写入组件将所述数据写入到对应于所述写入条件的所述存储区域，

感测放大器，将设置期间与重置期间流动的电流与参考值进行比较，并感测所述可逆且非易失性可变电阻组件中所保持的数据，其中所述多个存储区域的每一个包括窗口宽度，所述窗口宽度为所述重置期间的电流分布的上限值与所述设置期间的电流分布的下限值之间，

其中所述窗口宽度包括耐久性窗口宽度、保持性窗口宽度与高速读取窗口宽度，所述耐久性窗口宽度对应将数据写入到所述耐久性存储区域的所述写入条件，所述保持性窗口宽度对应将数据写入到所述保持性存储区域的所述写入条件，所述高速读取窗口宽度对应将数据写入到所述高速读取存储区域的所述写入条件，

所述保持性窗口宽度大于所述耐久性窗口宽度，且所述高速读取窗口宽度大于所述保持性窗口宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述写入命令包括用于改良可靠性的命令，或所述写入命令包括用于改良读取操作速度的命令。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述刷新组件，其刷新存储于所述存储器阵列的所选择存储区域中的数据，

其中所述刷新组件包括重写相同数据及响应于从外部输入的命令而执行所述刷新组件。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，所述刷新组件还包括移动组件，将存储于所述存储器阵列的某一存储区域中的数据移动到另一存储区域，其中响应于从外部输入的命令而执行所述移动组件。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述写入条件包括施加到所选择的所述可变电阻组件的写入脉冲时间，或所述写入条件包括施加到所选择的所述可变电阻组件的写入脉冲的电压电平。

6.一种半导体存储器装置，包括：

存储器阵列，包括可逆且非易失性可变电阻组件；

写入组件，基于根据在写入操作期间从外部输入的地址而选择的写入条件，来将数据写入到所述存储器阵列；

多个存储区域，包括耐久性存储区域、保持性存储区域与高速读取存储区域；以及

刷新组件，包括检测组件，所述检测组件检测存储于所述存储区域中的数据无效的指示，且响应于检测结果而执行刷新，

其中对应于多种写入条件的所述多个存储区域设置于所述存储器阵列中，以及所述写入组件基于对应于所述输入的地址的所述存储区域中设置的所述写入条件来执行写入，

感测放大器，将设置期间与重置期间流动的电流与参考值进行比较，并感测所述可逆且非易失性可变电阻组件中所保持的数据，其中所述多个存储区域的每一个包括窗口宽度，所述窗口宽度为所述重置期间的电流分布的上限值与所述设置期间的电流分布的下限值之间，

其中所述窗口宽度包括耐久性窗口宽度、保持性窗口宽度与高速读取窗口宽度，所述耐久性窗口宽度对应将数据写入到所述耐久性存储区域的所述写入条件，所述保持性窗口宽度对应将数据写入到所述保持性存储区域的所述写入条件，所述高速读取窗口宽度对应将数据写入到所述高速读取存储区域的所述写入条件，

所述保持性窗口宽度大于所述耐久性窗口宽度，且所述高速读取窗口宽度大于所述保持性窗口宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述刷新组件，刷新存储于所述存储器阵列的所选择存储区域中的数据，其中所述刷新组件包括重写相同数据，及其中响应于从外部输入的命令而执行所述刷新组件。