[发明专利]炉管机台和洁净室

说明书

本发明涉及一种炉管机台和洁净室，所述炉管机台包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。所述炉管机台对于安装空间的高度要求降低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种炉管机台和洁净室。

背景技术

炉管机台是目前半导体处理工艺中经常使用的一种机台，可以用于进行氧化工艺、化学气相沉积等多种半导体处理工艺。

炉管机台的反应腔室内设置有垂直放置的晶舟，多片晶圆沿晶舟高度方向排列放置于晶舟的晶圆放置位内，进行半导体处理。晶舟的高度以及晶圆放置位之间的间距，决定了炉管机台能够同时处理的晶圆数量。

如通过减小晶圆放置位之间的间距，会导致晶圆之间气体流动均匀性变差，造成严重的负载效应，使得各晶圆上进行的半导体处理均匀性变差。因此，需要通过提高晶舟的高度，即炉管机台的高度，来提高单次可处理的晶圆数量，从而提高产能。

但是，由于机台放置的洁净室的高度限制，炉管机台的高度也受到限制，很难再进行提高，使得产能提高受限。而如果为了使用更高高度的炉管机台而重新建造洁净室，又会导致巨大的成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种炉管机台和洁净室，在不提高成本的前提下，提高产能。

本发明提供一种炉管机台，包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。

可选的，所述装载装置和控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差为50cm～80cm。

可选的，所述装载装置与处理装置分别具有一道隔离门，两道隔离门位置相对；当两道隔离门开启时，所述装载装置与处理装置连通。

可选的，所述处理装置的高度为3500mm～4263mm。

本发明的技术方案还提供一种洁净室，包括：地板，所述地板具有凹陷处；所述炉管机台的处理装置的底部位于所述凹陷处且底面置于所述凹陷处底部表面上；所述装载装置和控制装置的底面置于所述地板表面。

可选的，所述装载装置和所述控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差与所述凹陷处的凹陷深度相同。

可选的，所述地板包括第一层地板和第二层地板，所述第二层地板架空于所述第一层地板表面，且所述第二层地板具有镂空处；所述处理装置的底部穿过所述镂空处，置于所述第一层地板表面。

可选的，所述镂空处的形状、尺寸与所述处理装置的形状、尺寸匹配。

可选的，所述镂空处边缘一定距离范围内的第二层地板可拆卸。

可选的，所述装载装置和所述控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差与所述第二层地板表面和第一层地板表面之间的距离相等。

可选的，所述凹陷处的凹陷深度为50cm～80cm。

本发明的炉管机台包括处理装置、装载装置和控制装置，所述处理装置部分低于所述装载装置、控制装置，可以下沉安装于所述装载装置和控制装置的安装平面下方的表面上，例如安装于洁净室的架空地板下方，可以充分利用洁净室的高度空间，降低对洁净室的高度要求，从而提高单次处理的晶圆数量以及降低负载效应。

附图说明

图1为本发明一具体实施方式的炉管机台的结构示意图；

图2为本发明一具体实施方式的洁净室的结构示意图；