[发明专利]晶棒切片后清洗装置在审
申请号: | 201910096686.1 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109622478A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 赵延祥 | 申请(专利权)人: | 宁夏银和半导体科技有限公司 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B13/00;B28D5/00;B24B55/06 |
代理公司: | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人: | 孙彦虎 |
地址: | 750021 宁夏回*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冲洗 弧形卡槽 切片 冲洗箱 线缝 晶棒 清洗装置 清洗组件 轴向 加压 单晶硅生产 一次性完成 高压清洗 固定组件 加工设备 清洗介质 清洗效果 清洗效率 卡合 喷出 种晶 | ||
本发明提供一种晶棒切片后清洗装置,属于单晶硅生产加工设备技术领域。包括固定组件及加压清洗组件,加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱,左冲洗箱开设有右弧形卡槽,右冲洗箱上开设有左弧形卡槽,右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝,左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝,左冲洗箱与右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由右冲洗线缝与左冲洗线缝喷出,对卡合于右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。该装置能够一次性完成对整根晶棒的冲洗,清洗效率高。高压清洗介质能够充分进入到切片后的晶棒的线缝中,对切片进行冲洗,清洗效果佳。解决了切片距离小,液相传质效果弱的技术问题。
技术领域
本发明属于单晶硅生产加工设备技术领域,具体涉及一种晶棒切片后清洗装置。
背景技术
大尺寸半导体切片多使用多线切割,多线切割的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦,从而达到切割效果,这种机制也被称为:自由研磨切割。切割后的半导体切片如不能及时彻底的清洗,会造成砂浆液中的碳化硅和硅粉沉积到硅片表面,导致硅片脏污。
然而,多线切割后,相邻两片切片之间的缝隙很窄,原有的切片清洗设备,清洗喷淋时,清水不能完全进入到线缝,从而不能将硅片表面的砂浆清洗干净,清洗效率低,清洗效果不佳,且清洗时会出现水流纹等不良现象。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种清洗效率高、清洗效果好的晶棒切片后清洗装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种晶棒切片后清洗装置,包括固定组件及加压清洗组件,所述固定组件用于将切片后的晶棒固定于所述加压清洗组件上;所述加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱,所述左冲洗箱与所述右冲洗箱上均设置有介质入口及加压口,所述左冲洗箱开设有右弧形卡槽,所述右冲洗箱上开设有左弧形卡槽,所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽相对设置,以将切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间;所述右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝,所述左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝,所述左冲洗箱与所述右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝喷出,对卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。
优选地,所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝交错设置,多条所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝位于不同的水平面上。
优选地,所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝的宽度为0.5mm~2mm。
优选地,所述右弧形卡槽的弧面上开设有两条右冲洗线缝,所述左弧形卡槽的弧面上开设有两条左冲洗线缝。
优选地,所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽的弧面的弧度为150°~165°。
优选地,所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽的上边沿处开设有泥浆冲洗线缝。
优选地,所述晶棒切片后清洗装置还包括基座,所述右冲洗箱固定安装于所述基座上,所述左冲洗箱滑动连接于所述基座上。
优选地,所述固定组件包括至少一个平行设置的进给丝杠,所述进给丝杠一端螺接于所述基座上,另一端螺接于所述左冲洗箱,转动所述进给丝杠,驱动所述左冲洗箱靠近或远离所述右冲洗箱。
优选地,所述固定组件包括平行设置的两个所述进给丝杠,所述左冲洗箱的两侧设置有连接耳板,所述进给丝杠贯穿通过且螺纹连接所述连接耳板,所述进给丝杠的两端均螺接于所述基座上,且端部设置有把手。
优选地,所述基座为上端开口的箱体,包括相对设置的两块侧立板,所述右冲洗箱的两端固定安装于所述侧立板上,所述左冲洗箱的两端滑动连接于所述侧立板上。
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