[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910093640.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875297A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 濑户基司 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/556 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，具备：
衬底；
α线屏蔽层，设置在所述衬底上；
第1半导体芯片，设置在所述α线屏蔽层上；及
第2半导体芯片，设置在所述第1半导体芯片上，通过所述第1半导体芯片来控制运行。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述α线屏蔽层设置在将所述第1半导体芯片粘合在所述衬底的粘合剂内。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中
所述粘合剂具有设置在所述衬底与所述α线屏蔽层之间的第1粘合层、及设置在所述α线屏蔽层与所述第1半导体芯片之间的第2粘合层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述α线屏蔽层包含钨(W)或硫酸钡(BaSO4)。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述α线屏蔽层是设置在所述第1半导体芯片背面的金属层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
在所述第1半导体芯片的背面设置有吸杂层，且所述α线屏蔽层是与所述吸杂层相接的金属层。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中
所述金属层是钨层。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中
设置有将所述第2半导体芯片贯通的贯通电极，且所述第1半导体芯片经由所述贯通电极而与所述第2半导体芯片电性连接。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述第2半导体芯片是保存电子数据的半导体存储芯片，
所述第1半导体芯片是控制所述半导体存储芯片运行的控制器芯片。
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