[发明专利]导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法有效

申请号：	201910091770.4	申请日：	2019-01-30
公开（公告）号：	CN109904088B	公开（公告）日：	2021-08-03
发明（设计）人：	蔡振飞	申请（专利权）人：	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	518132 广东省深***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	导体化工监控方法阵列制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本揭示提供一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法，提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述多个测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分两侧的导体化部分，所述方法包括：步骤S10：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S20：测量所述多个测试单元的电阻，并根据测量所得的电阻值对所述沟道部分导体化程度进行监控，当所述电阻值在预设电阻值范围之外时，判定此批次的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数，准确控制沟道下半导体的导体化程度，使得在大规模生产中显示面板沟道部分导体化程度的一致性得到改善，从而有效提升显示面板的显示画面的均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法。

背景技术

顶栅结构(top gate)技术一种可降低薄膜晶体管寄生电容的氧化物背板技术，但这种技术需要克服在高世代线基板上进行SiO2干法刻蚀以及在高世代线上进行铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)导体化工艺均一性的问题，上述问题会直接影响到(Organic Light-Emitting Diode,OLED)背板的性能，目前top gate工艺流程：IGZO沉积完后进行进行IGZO光刻工艺，完成IGZO图案后直接沉积栅极绝缘层和栅极线层，然后进行栅极线光刻工艺，之后首先利用湿法刻蚀栅极线金属，然后采用干法刻蚀栅极绝缘层层，使要导体化的IGZO裸露出来，之后进行导体化工艺，通常导体化工艺采用含H的气体对IGZO表面进行处理，使IGZO中的O与H结合，从而使IGZO导体化，随着和导体化气体的不断反映，在沟道区域本应该不进行导体化的半导体区域会不同程度的被导体化，这样沟道的宽度就会发生变化，沟道宽度是TFT设计的关键参数，直接影响了驱动OLED发光的电流值，由于导体化过程中很难通过肉眼或者现有测试设备判断导体化的程度，特别是沟道下半导体的导体化程度，这样在大规模生产中必然会出现面板的不同区域宽度不一致的问题，从而造成显示的不均一。

综上所述，现有显示面板生产过程中存在不同区域沟道宽度不一致，导致显示不均一的问题。故，有必要提供导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法来改善这一缺陷。

发明内容

本揭示提供一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法，用于解决现有显示面板生产过程中存在不同区域沟道宽度不一致，导致显示不均一的问题。

本揭示提供一种导体化工艺监控方法，包括：

步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；

步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；

步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控。

根据本揭示一实施例，所述沟道部分包括沟道导体化部分和沟道未导体化部分。

根据本揭示一实施例，所述电阻测试组件包括多个测试焊盘，所述测试焊盘设置于所述沟道部分的所述两侧。

根据本揭示一实施例，所述沟道部分以及所述导体化部分的材料为铟镓锌氧化物。

根据本揭示一实施例，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的预设电阻值范围。

根据本揭示一实施例，当所述测试单元的所述电阻值在所述预设电阻值范围之外时，判定当前的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数。